[发明专利]复合构件有效
申请号: | 201880052316.1 | 申请日: | 2018-08-13 |
公开(公告)号: | CN111052358B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
发明(设计)人: | 泽口寿一;田中直宏;坂口香织;安东健次;小林英宣 | 申请(专利权)人: | 东洋油墨SC控股株式会社;东洋科美株式会社 |
主分类号: | H01L23/373 | 分类号: | H01L23/373;B32B15/08;B32B18/00;B32B27/20;H01L23/36;H05K7/20;H01L25/07;H01L25/18 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨文娟;臧建明 |
地址: | 日本东京中央区京桥二丁目*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合 构件 | ||
复合构件(1)在热产生构件(10)上介隔热传导性绝缘接着膜(20)而接着有散热基底基板(30),并且充分满足以下式。X/(E×|CTE(B)‑CTE(A)|)≧50,X/(E×|CTE(B)‑CTE(C)|)≧50,Y/|CTE(B)‑CTE(A)|×L(BA)≧50,Y/|CTE(B)‑CTE(C)|×L(BC)≧50。X:散热基底基板/热产生构件间的剪切接着力(MPa)、Y:热传导性绝缘接着膜的断裂伸长率(‑)、E:热传导性绝缘接着膜的弹性模量(MPa)、CTE(A):散热基底基板的线膨胀系数(℃supgt;‑1/supgt;)、CTE(B):热传导性绝缘接着膜的线膨胀系数(℃supgt;‑1/supgt;)、CTE(C):热产生构件的与热传导性绝缘接着膜相接的面的材质的线膨胀系数(℃supgt;‑1/supgt;)、L(BA):热传导性绝缘接着膜与散热基底基板的初期接触长度(m)、L(BC):热传导性绝缘接着膜与热产生构件的初期接触长度(m)。
技术领域
本发明涉及一种在包含可产生热的热产生部的热产生构件的至少一个面上介隔热传导性绝缘接着膜而接着有散热基底基板的复合构件。
背景技术
为了促进自各种电子零件(例如功率半导体元件及包含其的功率卡等)的可产生热的热产生构件向散热装置(heat sink)等散热构件的热传导来促进散热,优选为在散热构件的散热基底基板与热产生构件之间配置热传导性绝缘接着膜。就可表现出高热传导性的方面而言,热传导性绝缘接着膜优选为包含热传导性绝缘填料与粘合剂树脂。
热传导性绝缘接着膜例如可通过如下方式而简易形成:将包含热传导性填料与作为热硬化性树脂的粘合剂树脂的未硬化物和/或半硬化物的热传导性绝缘片配置于散热构件与热产生构件之间,并通过加热及加压而使其硬化。
例如,专利文献1中公开有一种功率半导体装置,其包含依序层叠有金属板、焊料层及半导体芯片的半导体模块以及散热构件,且在所述金属板与所述散热构件之间配置有环氧树脂组合物的硬化体,所述环氧树脂组合物的硬化体含有环氧树脂单体、酚醛清漆树脂硬化剂以及α-氧化铝及氮化硼的混合填料(技术方案17)。所述功率半导体装置中,半导体模块为热产生构件,环氧树脂组合物的硬化体为热传导性绝缘接着膜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开2016-155985号公报
发明内容
发明所要解决的问题
专利文献1中,将半硬化状态的环氧树脂组合物(优选为片状成形体)配置于散热构件与作为热产生构件的半导体模块之间,并通过加热及加压而使其硬化,由此表现出牢固的接着力。然而,环氧树脂组合物的硬化体非常硬,因此对由伴随温度变化的散热构件及热产生构件的膨胀或伸缩而产生应力进行缓和的作用非常弱。因此,存在如下担忧:因由温度变化所引起的应力应变而在包含环氧树脂组合物的硬化体的热传导性绝缘接着膜中产生龟裂和/或剥落,从而绝缘性和/或热传导性降低。
在将功率半导体元件及包含其的功率卡等热产生构件搭载于车等来使用的情况下,使用环境温度严酷,跨及自作为低温环境温度的例如自-40℃左右(例如高纬度地域的冬季)至作为高温环境温度的热产生构件的发热温度即例如150℃左右或其以上(发热温度是由热产生构件的输出引起的)的广范围。优选为:即便在此种温度变化大的条件下使用,热传导性绝缘接着膜也不产生龟裂及剥落且可维持高绝缘性及高热传导性。
本发明是鉴于所述情况而成,其目的在于提供一种复合构件,所述复合构件具有在包含可产生热的热产生部的热产生构件的至少一个面上介隔热传导性绝缘接着膜而接着有散热基底基板的结构,即便在温度变化大的条件下使用,耐久性也优异。
解决问题的技术手段
本发明的复合构件在包含可产生热的热产生部的热产生构件的至少一个面上介隔热传导性绝缘接着膜而接着有散热基底基板,且
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