[发明专利]根据工艺变化的计量测量参数的快速调整

权利要求书

1.一种相对于工艺变化调整计量测量参数而不重启计量配方设置的晶片光刻方法，所述方法包括：

在初始计量配方设置期间，记录计量过程窗且从其导出基线信息；其中所述计量过程窗表示为量化计量测量结果对测量参数的相依性，且其中所述基线信息来自于初始配方设置，

在操作期间，相对于所述基线信息量化所述工艺变化，且相对于所述经量化工艺变化调整所述计量过程窗内的所述计量测量参数，

区分对称工艺变化及非对称工艺变化对所述计量测量参数的效应，且对应地调整所述计量测量参数；以及

通过模拟或在预备测量中对于经记录计量过程窗导出包括至少一个计量度量对至少一个配方参数的至少部分连续相依性的至少一个图谱，其中通过界定量化所述对称工艺变化的至少一个对称度量及量化所述非对称工艺变化的至少一个非对称度量且相对于所述图谱中通过所述经界定的至少一个对称度量量化的水平偏移及所述图谱中通过所述经界定的至少一个非对称度量量化的垂直偏移调整所述计量测量参数而实行所述区分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中相对于将所述计量测量与所述工艺变化相关的对称性考虑而执行导出所述基线信息以及量化所述工艺变化。

3.根据权利要求1所述的方法，其中通过界定量化所述对称工艺变化及所述非对称工艺变化中的至少一者的至少一个度量且使用所述至少一个经界定度量来调整所述计量测量参数而实行所述区分。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括识别所述基线信息中的极限值且使用所述经识别极限值作为阈值以用于实行所述计量测量参数的所述调整。

5.根据权利要求1所述的方法，其中相对于多个晶片位点、多个波长及/或多个计量度量实行所述记录及所述量化。

6.根据权利要求1所述的方法，其是对于基于衍射的计量实施且进一步包括将至少一个光瞳特征并入所述记录及所述量化中。

7.根据权利要求1所述的方法，其是对于基于衍射的计量实施且进一步包括将至少一个场特征并入所述记录及所述量化中。

8.根据权利要求1所述的方法，其是对于基于成像的计量实施且进一步包括将至少一个场特征并入所述记录及所述量化中。

9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括相对于所述至少一个图谱实行所述量化及所述调整。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述至少一个图谱是至少二维的。

11.根据权利要求9所述的方法，其是对于基于成像的计量实施且进一步包括将贯穿波长离焦表面用于成像而扩展所述图谱。

12.根据权利要求1所述的方法，其中通过至少一个计算机处理器实行所述记录、所述导出、所述量化及所述调整中的至少一者。

13.一种计算机程序产品，其包括具有与其一起体现的计算机可读程序的非暂时性计算机可读存储媒体，所述计算机可读程序经配置以实行根据权利要求1所述的方法。

14.一种计量工具，其包括根据权利要求13所述的计算机程序产品。