[发明专利]带应力引导材料的集成电路封装件有效
申请号: | 201880053782.1 | 申请日: | 2018-08-31 |
公开(公告)号: | CN111033704B | 公开(公告)日: | 2023-10-20 |
发明(设计)人: | B·S·库克;D·L·瑞维尔 | 申请(专利权)人: | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/28;H01L27/04 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 李尚颖 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 应力 引导 材料 集成电路 封装 | ||
1.一种包封的集成电路,其包括:
集成电路管芯即IC管芯;以及
包封所述IC管芯的包封材料,其中所述包封材料的第一部分是实心的,并且所述包封材料的第二部分包括填充有第二材料的空间。
2.根据权利要求1所述的包封的集成电路,其中所述第二材料是气体或真空。
3.根据权利要求1所述的包封的集成电路,其中所述包封材料的所述第二部分被成形为与所述IC管芯的第一区域接触并且不与所述IC管芯的第二区域接触。
4.根据权利要求1所述的包封的集成电路,其中所述包封材料的所述第二部分填充有N种不同类型的所述第二材料。
5.根据权利要求4所述的包封的集成电路,其中所述包封材料的所述第二部分被配置为互连空间的晶格,并且每个空间填充有所述N种不同类型的所述第二材料中的一种。
6.根据权利要求1所述的包封的集成电路,其中所述包封材料的所述第二部分内的所述空间是球形的。
7.根据权利要求1所述的包封的集成电路,其中所述包封材料的所述第二部分内的所述空间是非球形的。
8.根据权利要求1所述的包封的集成电路,其中所述包封材料的所述第二部分形成应力引导结构,所述应力引导结构具有耦合到所述IC管芯中的电路部件的顶点。
9.根据权利要求1所述的包封的集成电路,进一步包括导热垫,其中所述IC管芯的一侧被附连到所述导热垫。
10.根据权利要求1所述的包封的集成电路,进一步包括:导热垫;以及一层包封材料的所述第二部分,其包括填充有所述第二材料的空间并且覆盖所述导热垫的表面;其中所述IC管芯的一侧被附连到所述一层包封材料的所述第二部分。
11.根据权利要求10所述的包封的集成电路,其中所述一层包封材料的所述第二部分具有:填充有导热材料的一部分空间;以及填充有绝热材料的另一部分空间。
12.一种包封集成电路的方法,所述方法包括:
将集成电路管芯即IC管芯附连到导线框架;以及
通过增材工艺包封所述IC管芯以在包封材料中形成应力引导结构,其中所述包封材料的第一部分是实心的,并且所述包封材料的第二部分包括填充有第二材料的空间。
13.根据权利要求12所述的方法,进一步包括将所述包封材料的所述第二部分成形为与所述IC管芯的第一区域接触并且不与所述IC管芯的第二区域接触。
14.根据权利要求12所述的方法,进一步包括用N种不同类型的所述第二材料填充所述包封材料的所述第二部分。
15.根据权利要求14所述的方法,进一步包括将所述包封材料的所述第二部分形成为互连空间的晶格,其中每个空间填充有所述N种不同类型的所述第二材料中的一种。
16.根据权利要求12所述的方法,其中包封所述IC管芯包括形成应力引导结构,所述应力引导结构具有耦合到所述管芯的电路部件的顶点。
17.根据权利要求12所述的方法,其中包封所述IC管芯包括在所述导线框架上形成包括填充有第二材料的空间的一层所述包封材料的所述第二部分,并且然后将所述IC管芯附连到所述一层所述包封材料的所述第二部分。
18.一种包封的集成电路,其包括:
集成电路管芯即IC管芯;以及
包封所述IC管芯的包封材料,其中所述包封材料的第一部分是实心的,并且所述包封材料的第二部分包括填充有第二材料的互连空间的晶格。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德克萨斯仪器股份有限公司,未经德克萨斯仪器股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880053782.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:吸收体和吸收性物品
- 下一篇:解决扩增反应中低效的方法和组合物
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造