[发明专利]光电子器件在审
申请号: | 201880054018.6 | 申请日: | 2018-07-27 |
公开(公告)号: | CN111512436A | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | P.布里克;C.威兹曼;U.施特雷佩尔;D.拉奇;C.克尔佩尔;G.罗斯巴赫 | 申请(专利权)人: | 欧司朗OLED股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/60;H01L33/58;H01L33/50 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张涛;刘春元 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电子 器件 | ||
1.一种光电子器件(10),
具有载体(20),
其中所述载体(20)包括表面(21),
其中在所述载体(20)的所述表面(21)上方形成反射阻挡件(30),
其中所述反射阻挡件(30)将所述载体(20)的所述表面(21)划分成像素(40),
其中每个像素(40)分别包括至少一个布置在所述载体(20)的所述表面(21)上的光电子半导体芯片(50),
其中所述光电子半导体芯片(50)被配置为发射电磁辐射。
2.根据权利要求1所述的光电子器件(10),
其中光导结构(60)被布置在所述光电子半导体芯片(50)上方,其中所述光导结构(60)包括凹部(63)。
3.根据权利要求2所述的光电子器件(10),
其中所述凹部(63)形成所述反射阻挡件(30)。
4.根据权利要求2所述的光电子器件(10),
其中所述反射阻挡件(30)被布置在所述凹部(63)中。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的光电子器件(10),
其中所述光导结构(60)包括上侧(61),其中所述上侧(61)背离所述载体(20)的所述表面(21),其中所述光导结构(60)的所述上侧(61)包括输出耦合结构。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的光电子器件,
其中所述光导结构(60)包括下侧(62),其中所述下侧(62)面向所述载体(20)的所述表面(21),其中所述光导结构(60)的所述下侧(62)包括输出耦合结构。
7.根据权利要求1或4至6中任一项所述的光电子器件(10),
其中所述反射阻挡件(30)包括反射材料。
8.根据前述权利要求中任一项所述的光电子器件(10),
其中所述反射阻挡件(30)具有沿着垂直于所述载体(20)的所述表面(21)的截面的横截面,所述横截面远离所述载体(20)的所述表面(21)而逐渐变细。
9.根据前述权利要求中任一项所述的光电子器件(10),
其中所述光电子半导体芯片(50)包括上侧(51),其中所述上侧(51)背离所述载体(20)的所述表面(21),其中反射覆盖物(54)被布置在所述光电子半导体芯片(50)的所述上侧(51)上。
10.根据前述权利要求中任一项所述的光电子器件(10),
其中所述光电子半导体芯片(50)被嵌入在密封材料(70)中。
11.根据权利要求10所述的光电子器件(10),
其中所述封装材料(70)形成透镜(71)。
12.根据前述权利要求中任一项所述的光电子器件(10),
其中散射膜(80)被布置在所述光电子半导体芯片(50)上方。
13.根据前述权利要求中任一项所述的光电子器件(10),
其中波长转换层(90)被布置在所述光电子半导体芯片(50)上方。
14.根据前述权利要求中任一项所述的光电子器件(10),
其中所述光电子半导体芯片(50)是体积发射的发光二极管芯片。
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