[发明专利]光电子器件

说明书

本发明涉及一种光电子器件，其包括具有表面的衬底。反射阻挡件形成在所述衬底的所述表面上方。所述反射阻挡件将所述衬底的所述表面划分为图像点。每个图像点分别具有至少一个布置在所述衬底的所述表面上的光电子半导体芯片。所述光电子半导体芯片被设计为发射电磁辐射。

技术领域

本发明涉及根据独立权利要求的光电子器件。

本专利申请要求德国专利申请10 2017 113 813.7和10 2017 114 011.5的优先权，其公开内容通过引用并入本文。

背景技术

从现有技术中已知基于LED布置的背光单元。

发明内容

本发明的目的是提供一种光电子器件。

该目的通过具有权利要求1的特征的光电子器件来实现。在从属权利要求中规定了各种改进方案。

光电子器件包括具有表面的载体。在所述载体的所述表面上方形成反射阻挡件。这些反射阻挡件将所述载体的所述表面划分成像素。每个像素分别包括至少一个布置在所述载体的所述表面上的光电子半导体芯片。所述光电子半导体芯片被配置为发射电磁辐射。有利地，由于布置在所述载体的所述表面上方的反射阻挡件，所述光电子器件包括具有低串扰的像素。因此，由一个像素内的光电子半导体芯片所发射的电磁辐射不被透射到相邻像素中。因此，所述光电子器件具有高对比度范围。

在一个实施例中，光导结构被布置在所述光电子半导体芯片上方。所述光导结构包括凹部。有利地，由所述光电子半导体芯片所发射的电磁辐射可以至少部分地在所述光导结构的上侧和下侧上被全内反射。这可以导致所述电磁辐射在像素内部的横向传输。所述电磁辐射在像素内部的部分横向传输使得可以制造扁平的光电子器件。

在一个实施例中，所述凹部形成所述反射阻挡件。有利地，电磁辐射可以在所述凹部处被全内反射，使得它不进入相邻像素。

在一个实施例中，所述反射阻挡件被布置在所述凹部中。有利地，布置在凹部内部的反射阻挡件可以防止尚未在该凹部处被全内反射的电磁辐射被透射到相邻像素中。

在一个实施例中，所述光导结构的背离所述载体的所述表面的上侧包括输出耦合结构。有利地，由所述光电子半导体芯片所发射的电磁辐射可以从所述光导结构中被耦合出来。

在一个实施例中，所述光导结构的面向所述载体的所述表面的下侧包括输出耦合结构。有利地，可以通过布置在所述光导结构的下侧上的所述输出耦合结构以相对于所述光导结构的上侧存在有利入射角的方式来散射电磁辐射，使得所述电磁辐射出现在所述上侧上成为可能。

在一个实施例中，所述反射阻挡件包括反射材料。有利地，所述电磁辐射通过包括反射材料的反射阻挡件而不被透射到相邻像素中。

在一个实施例中，所述反射阻挡件沿着垂直于所述载体的所述表面的截面具有横截面，该横截面远离所述载体的所述表面而逐渐变细。有利地，由所述光电子半导体芯片所发射的电磁辐射在反射阻挡件处被反射，这些反射阻挡件具有远离所述载体的所述表面而逐渐变细的横截面，以使得反射的电磁辐射可以从各自像素中被射出。