[发明专利]用于捕获在材料路径上行进的材料的容器在审

专利信息
申请号: 201880054900.0 申请日: 2018-08-10
公开(公告)号: CN111034367A 公开(公告)日: 2020-04-17
发明(设计)人: A·B·里丁格;K·J·斯卡菲迪;M·A·小佩里 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: H05G2/00 分类号: H05G2/00
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;崔卿虎
地址: 荷兰维*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 捕获 材料 路径 行进 容器
【说明书】:

一种靶材料容器包括:包括沿第一方向延伸的通路的结构,该通路被配置为接收沿靶材料路径行进的靶材料;以及偏转器系统,其被配置为从通路接收靶材料。偏转器系统包括多个偏转器元件。每个偏转器元件相对于靶材料的实例沿靶材料路径行进的行进方向以第一锐角被定向,并且偏转器系统中的每个偏转器元件与最近的偏转器元件沿与第一方向不同的第二方向分开一定距离。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年8月25日提交的美国非临时专利申请号15/687,367的优先权,其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及用于捕获在材料路径上行进的材料的容器。该容器可以用在期望捕获微滴或液体射流的系统中。例如,该容器可以用在极紫外(EUV)光源中。

背景技术

在系统中移动的液体或部分液体材料可能与系统中的表面(冲击表面)碰撞。与冲击表面的碰撞可能导致材料的飞溅和/或散射,并且飞溅和/或散射可能导致冲击表面附近的物体受到污染。污染例如可以是由于碰撞而从材料上掉下来的材料碎片。物体的污染可能导致物体和/或整个系统的性能下降。例如,系统可以包括反射镜,并且反射镜的污染可以改变反射镜的反射性质。反射镜可以是EUV光源中的反射镜,并且污染可以导致由源输出的EUV光的量减少。

极紫外(“EUV”)光(例如,波长为100纳米(nm)或更小的电磁辐射(有时也称为软X射线)以及包括例如波长为20nm或更小、5nm至20nm之间或13nm至14nm之间的光)可以用于光刻过程中,以通过在抗蚀剂层中引发聚合而在诸如硅晶片的衬底中产生极小的特征。

产生EUV光的方法包括但不限于转换包括例如氙、锂或锡的元素的材料,其在等离子体状态下具有EUV范围内的发射线。在一种这样的方法中,通常称为激光产生的等离子体(“LPP”),所需的等离子体可以通过利用可以称为驱动激光的经放大的光束照射以材料的微滴、板、带、流或簇的形式的靶材料来产生。对于该过程,通常在密封器皿(例如,真空室)中产生等离子体,并且使用各种类型的量测设备对其进行监视。

发明内容

在一个总体方面,一种靶材料容器包括:包括在第一方向上延伸的通路的结构,该通路被配置为接收沿靶材料路径行进的靶材料;以及偏转器系统,被配置为从通路接收靶材料。偏转器系统包括多个偏转器元件。每个偏转器元件相对于靶材料的实例沿靶材料路径行进的行进方向以第一锐角被定向,并且偏转器系统中的每个偏转器元件与最近的偏转器元件在与第一方向不同的第二方向上分开一定距离。

实现可以包括以下特征中的一个或多个。结构还可以包括基部,基部包括耦合至通路的内部。在一些实现中,偏转器系统的至少一部分被定位在基部的内部中,基部的侧面相对于第一方向呈底角角度,并且基部的侧面在第二方向上延伸。

每个偏转器元件可以包括相对于靶材料路径以第一锐角被定向的第一部分以及从第一部分延伸的端部,该端部包括基本平行于靶材料路径延伸的尖端。每个偏转器元件的端部还可以包括包含表面的主体,并且主体的表面可以与靶材料路径形成第二锐角。第二锐角可以等于或小于第一锐角。每个偏转器元件的第一部分可以包括在第一平面中延伸的板,该板在第一平面中具有第一范围并且在第二平面中具有第二范围,第二平面正交于第一平面并且第二范围小于第一范围。靶材料的实例可以是基本上球形的并且具有直径,每个尖端可以具有被配置为与靶材料的实例相互作用的表面,并且尖端的表面可以在至少一个方向上具有小于靶材料的实例的直径的范围。

在一些实现中,每个偏转器元件包括被配置为减少靶材料对偏转器元件的表面的粘附的至少一个表面特征。表面特征可以包括波纹、具有特定粗糙度的区域、凹槽的图案、氧化的区域和/或与在偏转器元件的表面的其他部分中使用的材料不同的材料的涂层。

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