[发明专利]用于互连的扩散阻挡衬层

权利要求书

1.一种微电子组件，包括：

第一衬底，所述第一衬底具有第一基本平坦表面，所述第一衬底包括绝缘材料；

第二衬底，所述第二衬底具有第一基本平坦表面，所述第二衬底包括绝缘材料，所述第二衬底的所述第一表面在没有粘合剂的情况下直接结合到所述第一衬底的所述第一表面；

第一导电互连结构，所述第一导电互连结构嵌入所述第一衬底中，所述第一导电互连结构的表面通过所述第一衬底的所述第一表面暴露以形成第一互连焊盘；

第二导电互连结构，所述第二导电互连结构嵌入所述第二衬底中，所述第二导电互连结构的表面通过所述第二衬底的所述第一表面暴露以形成第二互连焊盘；和

第一阻挡界面，所述第一阻挡界面设置在所述第一衬底的所述第一基本平坦表面处，并至少部分地围绕所述第一互连焊盘的周边，从而在所述第一基本平坦表面处将所述第一导电互连结构与所述绝缘材料分离，所述第一阻挡界面包括不同于所述第一衬底的所述绝缘材料的材料，所述第一阻挡界面的至少一部分延伸预定深度到所述第一衬底中，所述预定深度小于所述第一导电互连结构的深度。

2.根据权利要求1所述的微电子组件，其中所述第一阻挡界面被布置用于抑制所述第二导电互连结构的材料扩散到所述第一衬底中。

3.根据权利要求1所述的微电子组件，其中所述第一阻挡界面由导电材料构成。

4.根据权利要求3所述的微电子组件，其中所述第一阻挡界面由钴、氮化钛、氮化钽、镍或镍合金构成。

5.根据权利要求1所述的微电子组件，其中所述第一阻挡界面为单层，所述单层包括：

第一部分，所述第一部分延伸预定深度到所述第一衬底中，所述预定深度小于所述第一导电互连结构的深度，和

第二部分，所述第二部分从所述第一部分并沿着所述第一导电互连结构的表面延伸。

6.根据权利要求1所述的微电子组件，其中所述第一阻挡界面设置在所述第一衬底的所述第一基本平坦表面的至少一部分上，并且被布置成保护所述第一基本平坦表面免受由于所述第一基本平坦表面的平坦化或抛光引起的侵蚀。

7.根据权利要求1所述的微电子组件，进一步包括设置在所述第二衬底处并至少部分地围绕所述第二互连焊盘的周边的第二阻挡界面，所述第二阻挡界面包括不同于所述第二衬底的绝缘材料的材料。

8.根据权利要求7所述的微电子组件，其中所述第二阻挡界面被布置成抑制所述第一导电互连结构的材料扩散到所述第二衬底中。

9.根据权利要求7所述的微电子组件，其中所述第一导电互连结构的材料到所述第一阻挡界面的所述材料或所述第二阻挡界面的所述材料中的扩散率或所述第二导电互连结构的材料到所述第一阻挡界面的所述材料或所述第二阻挡界面的所述材料中的扩散率小于所述第一导电互连结构的材料到所述第一衬底的所述材料或所述第二衬底的所述材料中的扩散率或所述第二导电互连结构的材料到所述第一衬底的所述材料或所述第二衬底的所述材料中的扩散率。

10.根据权利要求1所述的微电子组件，其中所述第一衬底的所述材料或所述第二衬底的所述材料包含氧化硅。

11.根据权利要求1所述的微电子组件，进一步包括：嵌入在所述第一衬底中的多个附加第一导电互连结构，所述附加第一导电互连结构中的每一个的表面通过所述第一衬底的第一表面暴露，以形成多个附加第一互连焊盘；嵌入所述第二衬底中的多个附加第二导电互连结构，所述附加第二导电互连结构中的每一个的表面通过所述第二衬底的第一表面暴露，以形成多个附加第二互连焊盘；并且其中所述第一阻挡界面至少部分地围绕所述第一互连焊盘和所述多个附加第一互连焊盘的至少一个子集。

12.根据权利要求11所述的微电子组件，其中所述第一阻挡界面被布置用于抑制所述第二导电互连结构和所述多个附加第二导电互连结构的材料扩散到所述第一衬底中。