[发明专利]太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳能发电系统

权利要求书

1.一种太阳能电池，具有：

p电极；

与上述p电极直接接触的p型光吸收层；

n型层；以及

n电极，

在上述p型光吸收层与上述n电极之间配置有上述n型层，

从上述p型吸收层与上述p电极的界面起向上述n型层方向10nm到100nm的区域是含有p型掺杂剂的p+型区域。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，

上述p型掺杂剂是从由Si、Ge及N构成的群中选择的1种以上的元素。

3.如权利要求1或2所述的太阳能电池，其中，

上述p+型区域中的上述p型掺杂剂的最高浓度是5.0×10¹⁹atoms/cm³以上1.0×10²¹atoms/cm³以下。

4.如权利要求1至3中任一项所述的太阳能电池，其中，

上述p+型区域中的上述p型掺杂剂的最低浓度是1.0×10¹⁸atoms/cm³以上5.0×10¹⁸atoms/cm³以下。

5.如权利要求1至4中任一项所述的太阳能电池，其中，

上述p+型区域中的上述p型掺杂剂的平均浓度是1.0×10¹⁹atoms/cm³以上1.0×10²⁰atoms/cm³以下。

6.如权利要求1至5中任一项所述的太阳能电池，其中，

p型掺杂剂的最高浓度的位置存在于上述p+型区域的上述p界面侧，

p型掺杂剂的最低浓度的位置存在于p+型区域的n型层3侧。

7.如权利要求1至6中任一项所述的太阳能电池，其中，

上述p+型区域中的上述p型掺杂剂的平均浓度，是上述p+型区域中的上述p型掺杂剂的最低浓度的5倍以上100倍以下，

上述p+型区域中的上述p型掺杂剂的最高浓度，是上述p+型区域的上述p型掺杂剂的平均浓度的5倍以上100倍以下，

上述p+型区域中的上述p型掺杂剂的最高浓度，是上述p+型区域的上述p型掺杂剂的最低浓度的25倍以上1000倍以下。

8.如权利要求1至7中任一项所述的太阳能电池，其中，

上述p+型区域中的上述p型掺杂剂的平均浓度，是上述p+型区域中的上述p型掺杂剂的最低浓度的10倍以上100倍以下，

上述p+型区域中的上述p型掺杂剂的最高浓度，是上述p+型区域的上述p型掺杂剂的平均浓度的10倍以上100倍以下，

上述p+型区域中的上述p型掺杂剂的最高浓度，是上述p+型区域的上述p型掺杂剂的最低浓度的100倍以上1000倍以下。

9.如权利要求1至8中任一项所述的太阳能电池，其中，

上述p型光吸收层的厚度是1000nm以上10000nm以下。

10.如权利要求1至9中任一项所述的太阳能电池，其中，

在上述p电极与p型光吸收层之间配置网状、点状或线状的绝缘膜。

11.如权利要求1至10中任一项所述的太阳能电池，其中，

在从上述p电极朝向n电极的方向上，上述绝缘膜与上述p型光吸收层接触的面积，是上述绝缘膜与上述p型光吸收层接触的上述面积和上述p型光吸收层与上述p电极接触的面积之和的80％以上95％以下。

12.一种多结型太阳能电池，具有：

权利要求1至11中任一项所述的太阳能电池；及

具有与权利要求1至11中任一项所述的太阳能电池的光吸收层相比带隙小的光吸收层的太阳能电池。