[发明专利]太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳能发电系统在审
申请号: | 201880055107.2 | 申请日: | 2018-09-19 |
公开(公告)号: | CN111279492A | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 山本和重;芝崎聪一郎;山崎六月;中川直之;吉尾纱良 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝能源系统株式会社 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/0687;H01L31/0352 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 刘英华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 多结型 模块 太阳能 发电 系统 | ||
实施方式提供变换效率优的太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳能发电系统。实施方式的太阳能电池具有p电极、与p电极直接接触的p型光吸收层、n型层及n电极。在p型光吸收层与n电极之间配置n型层。从p型吸收层与p电极的界面起向n型层方向10nm到100nm的区域包括含有p型掺杂剂的p+型区域。
技术领域
本发明涉及太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳能发电系统。
背景技术
作为新的太阳能电池之一,有氧化亚铜(Cu2O)太阳能电池。Cu2O是带隙为2.1eV的宽带隙半导体。Cu2O是由在地球上丰富存在的铜和氧构成的安全且廉价的材料,因此可期待能够实现高效率并且低成本的太阳能电池。
开发出了n电极和p电极这两方使用了透明电极的光透射性Cu2O太阳能电池。在为光透射性Cu2O太阳能电池的情况下,原理上,从n电极侧和p电极侧中的任一侧都能够进行光照射,但在从p电极侧进行了光照射的情况下,与从n电极侧的光照射相比较,短路电流小,因此有效率降低的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2017-098479号公报
发明内容
发明解决的课题
本发明解决的课题在于,提供效率高的光透射性的太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳能发电系统。
用于解决课题的手段
实施方式的太阳能电池具有p电极、与p电极直接接触的p型光吸收层、n型层及n电极。在p型光吸收层与n电极之间配置n型层。从p型吸收层与p电极的界面起向n型层方向10nm到100nm的区域包括含有p型掺杂剂的p+型区域。
附图说明
图1是实施方式的太阳能电池的剖视图。
图2是Cu2O太阳能电池的示意的能带图(a)和相对于各波长的分光灵敏度A/W(光电流/光强度)(b)。
图3是Cu2O太阳能电池的示意的能带图(a)和相对于各波长的分光灵敏度(b)。
图4是在p电极1表面附近高掺杂了p型掺杂剂的情况下的、Cu2O太阳能电池的示意的能带图(a)和相对于各波长的分光灵敏度(b)。
图5是实施方式的太阳能电池的剖面图像。
图6是实施方式的太阳能电池的剖视图。
图7是实施方式的多结型太阳能电池的剖视图。
图8是实施方式的太阳能电池模块的立体图。
图9是实施方式的太阳能电池模块的剖视图。
图10是实施方式的太阳能发电系统的构成图。
具体实施方式
以下,参照附图,对本发明的优选的一个实施方式详细地进行说明。
(第一实施方式)
第一实施方式涉及太阳能电池。图1中示出了第一实施方式的太阳能电池100的剖视图。如图2所示,本实施方式的太阳能电池100具有p电极1、p型光吸收层2、n型层3及n电极4。在n型层3与n电极4之间等也可以包括未图示的中间层。优选的是,两电极是透明电极,以便太阳光能够从n电极4侧、p电极1侧中的任一侧入射。未图示的基板可以设置于p电极1侧或n电极4侧。
(p电极1)
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的