[发明专利]三维存储器阵列

权利要求书

1.一种存储器阵列，其包括：

多个第一电介质材料及多个堆叠，其中每一相应第一电介质材料及每一相应堆叠交替，且其中每一相应堆叠包括第一导电材料及仅在所述第一导电材料的一侧上的存储材料；

第二导电材料，其穿过所述多个第一电介质材料及所述多个堆叠，以使得所述第二导电材料的主轴垂直于所述存储材料的主轴；以及

第二电介质材料，其与所述第二导电材料直接物理接触并在所述第二导电材料和所述多个堆叠之间穿过所述多个第一电介质材料和所述多个堆叠；

其中每一相应堆叠进一步包括所述第一导电材料与所述第二电介质材料之间的

第三电介质材料，以使得所述每一相应堆叠的所述存储材料仅在所述第三电介质材料的一侧上，所述第二电介质材料位于所述第二导电材料和所述第三电介质材料之间，并且所述第三电介质材料直接物理接触所述第一导电材料和所述第二电介质材料。

2.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述存储材料直接物理接触所述第二电介质材料。

3.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述第二电介质材料直接物理接触所述多个第一电介质材料。

4.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中每一相应堆叠进一步包括介于所述第一导电材料与所述存储材料之间的第四电介质材料。

5.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述第一导电材料及所述存储材料是在每一相应堆叠内的不同层级处。

6.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述第二导电材料的主轴垂直于所述多个第一电介质材料的主轴。

7.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述存储材料是自我选择存储材料。

8.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述存储材料形成于所述第二导电材料周围。

9.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述存储材料包括硫属化物材料。

10.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中在每一相应堆叠中的电荷存储材料的表面和在每一相应堆叠中的所述第三电介质材料的表面共面，其中所述电荷存储材料的表面与所述第二电介质材料直接物理接触，所述第三电介质材料的表面与所述第二电介质材料直接物理接触。

11.一种存储器阵列，其包括：

存储器单元堆叠；

第一电介质材料；及

第一导电材料，其直接物理接触所述第一电介质材料；

其中每一相应存储器单元包括：

所述第一导电材料的相应部分；

所述第一电介质材料的相应部分；

第二导电材料；

存储材料，其仅在所述第二导电材料的一侧上，以使得所述第一导电材料的主轴垂直于所述存储材料的主轴；以及

第二电介质材料，其介于所述第二导电材料与所述第一电介质材料之间，以使得所述存储材料仅在所述第二电介质材料的一侧上，所述第一电介质材料介于所述第一导电材料与所述第二电介质材料之间，且所述第二电介质材料直接物理接触所述第一电介质材料和所述第二导电材料。

12.根据权利要求11所述的存储器阵列，其中所述存储器单元通过额外电介质材料彼此分离。

13.根据权利要求11所述的存储器阵列，其中

所述第一电介质材料介于所述第一导电材料与所述存储材料之间。

14.根据权利要求11所述的存储器阵列，其中每一相应存储器单元包括介于所述第二电介质材料和所述存储材料之间的额外电介质材料。

15.根据权利要求14所述的存储器阵列，其中所述额外电介质材料介于所述第二导电材料与所述存储材料之间。