[发明专利]三维存储器阵列

说明书

在实例中，一种存储器阵列可包含多个第一电介质材料及多个堆叠，其中每一相应第一电介质材料及每一相应堆叠交替，且其中每一相应堆叠包括第一导电材料及存储材料。第二导电材料可穿过所述多个第一电介质材料及所述多个堆叠。每一相应堆叠可进一步包含所述第一导电材料与所述第二导电材料之间的第二电介质材料。

技术领域

本发明大体涉及存储器，且更特定来说涉及三维存储器阵列。

背景技术

存储器(例如存储器装置)通常可经提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、电阻可变存储器及快闪存储器等。电阻可变存储器的类型可包含相变材料(PCM)存储器、可编程导体存储器及电阻式随机存取存储器(RRAM)等。

存储器装置可用作用于需要高存储器密度、高可靠性及低功率消耗的广泛范围的电子应用的易失性及非易失性存储器。非易失性存储器可用于(例如)个人计算机、可携式存储棒、固态驱动器(SSD)、数码相机、蜂窝式电话、可携式音乐播放器(例如MP3播放器)及电影播放器以及其它电子装置。

电阻可变存储器装置可包含可基于存储元件(例如，具有可变电阻的电阻式存储器元件)的电阻状态存储数据的电阻式存储器单元。因而，电阻式存储器单元可经编程以通过改变电阻式存储器元件的电阻水平而存储对应于目标数据状态的数据。可通过将电场或能量的源(例如正或负电脉冲(例如，正或负电压或电流脉冲))施加到电阻式存储器单元(例如，到所述单元的电阻式存储器元件)达到特定持续时间而将所述单元编程到(例如对应于特定电阻状态的)目标数据状态。可通过响应于经施加询问电压感测通过电阻式存储器单元的电流而确定所述单元的状态。基于单元的电阻水平而变化的经感测电流可指示单元的状态。

可针对电阻式存储器单元设定若干数据状态(例如，电阻状态)中的一者。例如，单电平存储器单元(SLC)可经编程到两个不同数据状态中的标定者(其可由二进制单位1或0表示)且可取决于所述单元是否经编程到高于或低于特定水平的电阻。作为额外实例，一些电阻式存储器单元可经编程到两个以上数据状态(例如，1111、0111、0011、1011、1001、0001、0101、1101、1100、0100、0000、1000、1010、0010、0110、及1110)中的标定者。这些单元可被称为多电平存储器单元、多单元单元(multiunit cells)或多电平单元(MLC)。MLC可提供更高密度的存储器，而不增加存储器单元的数目，这是因为每一单元可表示一个以上数字(例如，一个以上位)。

附图说明

图1A到1D说明根据本发明的实施例的与形成三维存储器阵列相关联的处理步骤的横截面视图。

图1E到1G说明根据本发明的实施例的与形成三维存储器阵列相关联的处理步骤的各种视图。

图2说明根据本发明的实施例的三维存储器阵列。

具体实施方式

本发明包含三维存储器阵列及处理三维存储器阵列的方法。若干实施例包含一种存储器阵列，其可包含多个第一电介质材料及多个堆叠，其中每一相应第一电介质材料及每一相应堆叠交替，且其中每一相应堆叠包括第一导电材料及存储材料。第二导电材料可穿过所述多个第一电介质材料及所述多个堆叠。每一相应堆叠可进一步包含第一导电材料与第二导电材料之间的第二电介质材料。

在先前存储器阵列的实例中，可在穿过交替(例如，水平)第一导电材料及电介质材料的堆叠的(例如，垂直)开口中形成存储材料。可在含有存储材料的开口中形成第二导体。阵列的存储器单元可包含第一导体的不同部分、存储材料的不同部分及第二导体的不同部分，使得阵列可包含形成三维阵列的(例如，垂直)存储器单元堆叠。利用这些堆叠来形成三维存储器阵列可增加阵列中的存储器单元的数目，其可提供增加的密度及/或增加的存储容量。