[发明专利]激光照射装置、激光照射方法及投影掩模在审
申请号: | 201880055632.4 | 申请日: | 2018-08-21 |
公开(公告)号: | CN111052310A | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 水村通伸 | 申请(专利权)人: | 株式会社V技术 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/20;H01L21/336;H01L29/786 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 洪秀川 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 照射 装置 方法 投影 | ||
1.一种激光照射装置,其特征在于,具备:
光源,其产生激光;
投影透镜,其向被覆于基板上的非晶硅薄膜的规定的区域照射所述激光;及
投影掩模图案,其设置在所述投影透镜上,并设有多个开口部以对于所述非晶硅薄膜的规定的区域照射所述激光,
所述多个开口部分别具有基于所述投影透镜的投影倍率的透过率。
2.根据权利要求1所述的激光照射装置,其特征在于,
所述投影透镜是能够分离所述激光的微型透镜阵列所包含的多个微型透镜,
所述多个开口部分别具有基于所述微型透镜的投影倍率的透过率。
3.根据权利要求2所述的激光照射装置,其特征在于,
所述多个开口部分别具有基于所述多个微型透镜的各自的投影倍率中的最大值与所述微型透镜的投影倍率的差异而决定的透过率。
4.根据权利要求2或3所述的激光照射装置,其特征在于,
所述多个微型透镜中的所述投影倍率成为最大值的一个微型透镜的透过率是预先确定的透过率,
所述多个微型透镜中的其他的微型透镜具有基于所述预先确定的透过率、及所述最大值与所述其他的微型透镜的投影倍率的差异而决定的透过率。
5.根据权利要求2~4中任一项所述的激光照射装置,其特征在于,
所述多个开口部分别为基于所述多个微型透镜的各自的投影倍率而决定的大小。
6.根据权利要求5所述的激光照射装置,其特征在于,
所述多个开口部分别为长方形形状,基于所述多个微型透镜的各自的投影倍率来决定所述长方形形状的长度及宽度。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的激光照射装置,其特征在于,
所述投影透镜向被覆在对应于薄膜晶体管所包含的源极电极与漏极电极之间的区域的非晶硅薄膜照射激光,从而形成多晶硅薄膜。
8.一种激光照射方法,其特征在于,包括:
产生激光的第一步骤;
使用设有包含多个开口部的投影掩模图案的投影透镜,向被覆于基板上的非晶硅薄膜的规定的区域照射所述激光的第二步骤;及
每当照射所述激光时,使所述基板沿规定的方向移动的第三步骤,
所述多个开口部分别具有基于所述投影透镜的投影倍率的透过率。
9.根据权利要求8所述的激光照射方法,其特征在于,
所述投影透镜是能够分离所述激光的微型透镜阵列所包含的多个微型透镜,
所述多个开口部分别具有基于所述微型透镜的投影倍率的透过率。
10.根据权利要求9所述的激光照射方法,其特征在于,
所述多个开口部分别具有基于所述多个微型透镜的各自的投影倍率中的最大值与所述微型透镜的投影倍率的差异而决定的透过率。
11.根据权利要求9或10所述的激光照射方法,其特征在于,
所述多个开口部分别为基于所述多个微型透镜的各自的投影倍率而决定的大小。
12.一种投影掩模,其配置在照射从光源产生的激光的投影透镜上,其特征在于,
所述投影掩模设有多个开口部,以对于被覆于沿规定的方向移动的基板的非晶硅薄膜的规定的区域照射所述激光,
所述多个开口部分别具有基于所述投影透镜的投影倍率的透过率。
13.根据权利要求12所述的投影掩模,其特征在于,
所述投影透镜是能够分离所述激光的微型透镜阵列所包含的多个微型透镜,
所述多个开口部分别具有基于所述微型透镜的投影倍率的透过率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造