[发明专利]激光照射装置、激光照射方法及投影掩模

说明书

本发明的一实施方式的激光照射装置的特征在于，具备：光源，其产生激光；投影透镜，其向被覆于基板上的非晶硅薄膜的规定的区域照射所述激光；及投影掩模图案，其设置在所述投影透镜上，并设有多个开口部以对于所述非晶硅薄膜的规定的区域照射所述激光，所述多个开口部分别具有基于所述投影透镜的投影倍率的透过率。

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管的形成，特别是涉及向非晶硅薄膜照射激光而用于形成多晶硅薄膜的激光照射装置、激光照射方法及投影掩模。

背景技术

作为反向交错结构的薄膜晶体管，存在将非晶硅薄膜使用于沟道区域的薄膜晶体管。但是，非晶硅薄膜由于电子迁移率小，因此如果将该非晶硅薄膜使用于沟道区域，则存在薄膜晶体管中的电荷的迁移率减小这样的难点。

因此，存在如下的技术：将非晶硅薄膜的规定的区域通过激光进行瞬间加热而进行多晶体化，形成电子迁移率高的多晶硅薄膜，将该多晶硅薄膜使用于沟道区域。

例如，专利文献1公开了在基板上形成非晶硅薄膜，然后，对该非晶硅薄膜照射准分子激光器等的激光来进行激光退火，由此，进行通过短时间内的熔融凝固而使多晶硅薄膜晶体化的处理的技术。专利文献1记载了通过进行该处理而能够使薄膜晶体管的源极与漏极之间的沟道区域成为电子迁移率高的多晶硅薄膜，从而能够实现晶体管动作的高速化的内容。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-100537号公报

发明内容

发明概要

发明要解决的课题

在此，专利文献1记载了使激光透过微型透镜阵列所包含的多个微型透镜，通过一次的激光的照射，对基板上的多个部位进行激光退火的技术。然而，微型透镜阵列所包含的多个微型透镜的各个微型透镜存在其形状互不相同的情况。因此，会产生透过多个微型透镜的激光的能量密度产生相互偏颇的情况，使用该激光形成的多晶硅薄膜的电子迁移率也可能会产生偏颇。薄膜晶体管的特性依赖于电子迁移密度，因此，由于透过多个微型透镜的各个微型透镜的激光的能量密度存在偏颇而会产生基板上的多个薄膜晶体管的特性产生偏颇的问题。

本发明的目的鉴于上述的问题点而作出的，提供能够抑制基板所包含的多个薄膜晶体管的特性的偏颇的激光照射装置、激光照射方法及投影掩模。

用于解决课题的方案

本发明的一实施方式的激光照射装置的特征在于，具备：光源，其产生激光；投影透镜，其向被覆于基板上的非晶硅薄膜的规定的区域照射所述激光；及投影掩模图案，其设置在所述投影透镜上，并设有多个开口部以对于所述非晶硅薄膜的规定的区域照射所述激光，所述多个开口部分别具有基于所述投影透镜的投影倍率的透过率。

在本发明的一实施方式的激光照射装置中，其特征在于也可以在于，所述投影透镜是能够分离所述激光的微型透镜阵列所包含的多个微型透镜，所述多个开口部分别具有基于所述微型透镜的投影倍率的透过率。

在本发明的一实施方式的激光照射装置中，其特征在于也可以在于，所述多个开口部分别具有基于所述多个微型透镜的各自的投影倍率中的最大值与所述微型透镜的投影倍率的差异而决定的透过率。

在本发明的一实施方式的激光照射装置中，其特征在于也可以在于，所述多个微型透镜中的所述投影倍率成为最大值的一个微型透镜的透过率是预先确定的透过率，所述多个微型透镜中的其他的微型透镜具有基于所述预先确定的透过率、及所述最大值与所述其他的微型透镜的投影倍率的差异而决定的透过率。

在本发明的一实施方式的激光照射装置中，其特征在于也可以在于，所述多个开口部分别为基于所述多个微型透镜的各自的投影倍率而决定的大小。