[发明专利]识别检测到的缺陷中的扰乱及所关注缺陷的系统及方法

权利要求书

1.一种经配置以识别在晶片上检测到的缺陷中的扰乱及所关注缺陷的系统，其包括：

检验子系统，其至少包括能量源及检测器，其中所述能量源经配置以产生被引导到晶片的能量，且其中所述检测器经配置以检测来自所述晶片的能量且响应于所述所检测到的能量而产生输出；及

一或多个计算机子系统，其经配置以：

通过对所述输出应用缺陷检测方法来检测在所述晶片上的缺陷；

获取所述晶片的计量数据，其中所述计量数据是由在所述晶片上的测量点的阵列处对所述晶片执行测量的计量工具针对所述晶片而产生的，且其中所述晶片上的所述测量点的密度小于所述晶片上的检验点的密度，所述检测器在对所述晶片进行检验期间在所述检验点处产生所述输出；

相对于所述晶片上的所述测量点的位置而确定所述晶片上的所述缺陷的位置；

基于相对于所述测量点的所述位置而确定的所述缺陷的所述位置来将计量数据作为缺陷属性指派给所述缺陷，其中所述指派包括：

对于在所述测量点处被检测到的所述缺陷，基于所述测量点中在其处检测到所述缺陷的测量点来将在所述测量点处产生的所述所获取计量数据指派给所述缺陷；及

对于在所述测量点中的任一者处均未被检测到的所述缺陷，依据在所述测量点处产生的所述计量数据及相对于所述测量点的所述位置而确定的所述缺陷的所述位置来预测在其处检测到所述缺陷的位置处的所述计量数据；及

基于指派给所述缺陷的所述缺陷属性来确定所述缺陷是扰乱还是所关注缺陷。

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述计量工具在所述检测缺陷之前产生所述晶片的所述计量数据。

3.根据权利要求1所述的系统，其中所述测量点是在所述检测缺陷之前且独立于在所述晶片上检测到的所述缺陷而确定的。

4.根据权利要求1所述的系统，其中由所述计量工具产生的所述计量数据的至少一些值低于所述检验子系统的分辨率极限。

5.根据权利要求1所述的系统，其中所述测量点的所述密度经选择以在所述计量数据中捕获晶片级变化。

6.根据权利要求1所述的系统，其中所述测量点的所述密度经选择以在所述计量数据中捕获裸片级变化。

7.根据权利要求1所述的系统，其中所述计量数据是对所述晶片的在由所述检测器针对所述晶片产生的所述输出中引起噪声的特性的响应，且其中基于所述缺陷属性来确定所述缺陷是所述扰乱还是所述所关注缺陷会由于所述噪声而降低所述检验的不稳定性。

8.根据权利要求7所述的系统，其中所述噪声包括晶片级噪声。

9.根据权利要求7所述的系统，其中所述噪声包括晶片间噪声。

10.根据权利要求1所述的系统，其中所述计量数据包括膜厚度、经图案化结构轮廓、临界尺寸、线边缘粗糙度及线宽度粗糙度中的一或多者。

11.根据权利要求1所述的系统，其中所述预测包括将来自所述测量点的所述所获取计量数据内插到相对于所述测量点的所述位置而确定的所述缺陷的所述位置。

12.根据权利要求1所述的系统，其中所述预测包括将来自所述测量点的所述所获取计量数据外推到相对于所述测量点的所述位置而确定的所述缺陷的所述位置。