[发明专利]边缘发射的激光棒

权利要求书

1.一种边缘发射的激光棒(100)，所述激光棒(100)包括：

-基于AlInGaN的半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有接触侧(10)和用于产生激光辐射的有源层(11)，

-多个沿侧面的横向方向并排地并且彼此间隔开地设置的单个发射器(2)，所述单个发射器在符合规定的运行中分别发射激光辐射，

-多个沿侧面的横向方向并排地并且彼此间隔开地设置在所述接触侧(10)上的接触元件(20)，用于电接触所述单个发射器(2)，其中每个接触元件(20)与单个反射器(2)相关联，其中

-每个接触元件(20)经由所述接触侧(10)的连通的接触区域(12)导电地耦合到所述半导体层序列(1)上，使得经由所述接触区域(12)能够实现在所述半导体层序列(1)与所述接触元件(20)之间的电通流，

-所述激光棒(100)在两个相邻的单个发射器(2)之间的区域中具有热解耦结构(3)，所述热解耦结构对抗在两个相邻的单个发射器(20)之间的热交换，其中

-所述解耦结构(3)包括施加在所述接触侧(10)上的、导电的冷却元件(30)，所述冷却元件完全覆盖所述接触侧(10)的连通的冷却区域(13)，

-所述冷却元件(30)沿着所述冷却区域(13)与所述半导体层序列(1)电绝缘，并且沿着所述冷却区域(13)热耦合到所述半导体层序列(1)上，

-所述冷却区域(13)具有沿着侧面的横向方向测量的宽度，所述宽度是相邻的接触区域(12)的宽度的至少一半大，

-在所述冷却区域(13)中，所述冷却元件(30)通过分隔层(31)与所述半导体层序列(1)的接触侧(10)间隔开，并且所述分隔层(31)具有至少50W/(m·K)的热导率，和/或

-所述半导体层序列(1)在所述接触区域(12)的区域中分别具有接触层(23)，所述接触层确保在所述接触元件(20)与所述半导体层序列(1)之间的电接触，其中在所述解耦结构(3)的区域中不存在所述接触层(23)，并且所述冷却元件(30)由于缺少所述接触层(23)与所述冷却区域(13)电绝缘。

2.根据权利要求1所述的激光棒(100)，

其中所述接触元件(20)彼此分离并且不是连通的。

3.根据权利要求1或2所述的激光棒(100)，

其中所述冷却元件(30)通过与所述解耦结构(3)相邻的单个反射器(2)的接触元件(20)形成。

4.根据权利要求1或2所述的激光棒，

其中所述分隔层(31)具有下述材料之一或由其构成：SiC、DLC、AlN。

5.根据权利要求3所述的激光棒，其中

-在单个发射器(2)的两侧设有各自具有冷却元件(30)的解耦结构(3)，和

-在两侧设置的两个解耦结构(3)的所述冷却元件(30)通过所述单个发射器(2)的所述接触元件(20)形成。

6.根据权利要求1或2所述的激光棒(100)，其中

-所述冷却元件(30)是与所述接触元件(20)分开的元件，所述冷却元件在侧面的横向方向上与所述接触元件(20)间隔开，

-所述冷却元件(30)与所述半导体层序列(1)完全电绝缘。

7.根据权利要求6所述的激光棒(100)，其中

-所述冷却元件(30)具有与所述接触元件(20)相同的材料组分，

-在制造公差的范围内，所述冷却元件(30)具有与各个接触元件(20)相同的侧面尺寸。

8.根据权利要求1或2所述的激光棒(100)，其中

-所述半导体层序列(1)在所述接触侧(11)上具有多个在侧面的横向方向上间隔开的、平行伸展的肋(15)，

-每个单个发射器(2)包括肋(15)，其中所述接触区域(12)分别在所述肋(15)的区域中构成，使得为了所述单个发射器(2)的运行，将载流子从所属的接触元件(20)经由所属的肋(15)注入到所述有源层(10)中。