[发明专利]边缘发射的激光棒

说明书

一种边缘发射的激光棒(100)，所述激光棒包括基于AlInGaN的半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有接触侧(10)和用于产生激光辐射的有源层(11)。此外，激光棒包括多个沿侧面的横向方向并排地并且彼此间隔开地设置的单个发射器(2)，所述单个发射器在符合规定的运行中分别发射激光辐射。多个接触元件(20)沿侧面的横向方向并排地并且彼此间隔开地设置在接触侧上。每个接触元件与一个单个发射器相关联。每个接触元件经由接触侧的连通的接触区域(12)导电地耦合到半导体层序列上。激光棒在两个相邻的单个发射器(2)之间的区域中具有热解耦结构(3)。解耦结构包括施加在接触侧上的冷却元件(30)，所述冷却元件完全覆盖接触侧的连通的冷却区域(13)。冷却元件沿着冷却区域与半导体层序列电绝缘并且沿着冷却区域热耦合到半导体层序列上。冷却区域具有沿着侧面的横向方向测量的宽度，所述宽度是相邻的接触区域的宽度的至少一半大。

技术领域

提出一种边缘发射的激光棒。

发明内容

要实现的目的在于，提出一种用于以较小的故障率发射蓝色激光辐射的边缘发射的激光棒。

所述目的通过一种边缘发射的激光棒和一种光电子器件来实现。有利的设计方案和改进方案是下面描述的主题。

根据至少一个实施方式，所述激光棒包括基于AlInGaN的半导体层序列，所述半导体层序列具有接触侧和用于产生激光辐射的有源层。所述半导体层序列的半导体材料例如是Al_nIn_1-n-mGa_mN，其中0≤n≤1，0≤m≤1和m+n≤1。在此，所述半导体层序列能够具有掺杂材料以及附加的构成部分。然而由于简单性，仅给出半导体层序列的晶格的主要组成部分，即Al、Ga、In和N，即使所述主要组成部分能够部分地通过少量其它物质来代替和/或补充时也如此。

半导体层序列的有源层例如能够在符合规定运行时产生在黄色、绿色、蓝色或UV范围内的电磁辐射。

所述激光棒的半导体层序列的接触侧形成半导体层序列的顶面或外面并且由半导体层序列的材料构成。所述接触侧优选基本上平行于有源层伸展。

在此和在下文中将激光棒理解为可单独操作和电接触的元件。激光棒尤其通过从晶片复合件中分割产生。激光棒优选包括在晶片复合件中生长的半导体层序列的刚好一个初始连通的区域。所述激光棒的半导体层序列优选连通地构成。所述激光棒的有源层能够连通地或分区段地构成。激光棒的平行于有源层的主延伸平面测量的侧面扩展例如比有源层的侧面扩展大至多1％或至多5％。

所述激光棒的半导体层序列例如在GaN生长衬底上生长或者外延沉积。所述激光棒优选还包括生长衬底。所述生长衬底尤其设置在半导体层序列的与所述接触侧相对置的侧上。在已安装状态下，所述接触侧能够形成半导体层序列的配合接触侧或底侧。

有源层例如能够具有常规的pn结，双异质结构，单量子阱结构(SQW结构)或多量子阱结构(MQW结构)，以产生光。除了有源层以外，半导体层序列还能够包含其它功能层和功能区域，例如p型或n型掺杂的载流子传输层，即电子传输层或空穴传输层，未掺杂的或p型或n型掺杂的限域层、包覆层或波导层、势垒层、平坦化层、缓冲层、保护层和/或电极以及其组合。此外，附加的层，例如缓冲层、势垒层和/或保护层也能够垂直于半导体层序列的生长方向，例如围绕半导体层序列设置，即例如在半导体层序列的侧面上设置。

所述半导体层序列在有源层和生长衬底之间优选包括一个或多个n型掺杂的层。在有源层和接触侧之间，所述半导体层序列优选包括一个或多个p型掺杂的层。但是，替选地也能够在有源层和接触侧之间设置有一个或多个n型掺杂的层。