[发明专利]薄型化板状部件的制造方法以及薄型化板状部件的制造装置在审
申请号: | 201880057309.0 | 申请日: | 2018-08-21 |
公开(公告)号: | CN111095493A | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 泉直史;山下茂之 | 申请(专利权)人: | 琳得科株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B23K26/53 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 韩锋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄型化板状 部件 制造 方法 以及 装置 | ||
薄型化板状部件的制造方法的特征在于,具有向板状部件(WF)照射激光(LB)的激光照射工序和将板状部件(WF)沿着分割面(DP)分割而至少形成第一薄型化板状部件和第二薄型化板状部件的分割工序,在向板状部件(WF)照射激光的工序中,在板状部件(WF)的内部沿着分割面(DP)形成多个改性部,所述第一薄型化板状部件的厚度比板状部件(WF)的厚度小,所述第二薄型化板状部件的厚度比板状部件(WF)的厚度小。
技术领域
本发明涉及薄型化板状部件的制造方法以及薄型化板状部件的制造装置。
背景技术
以往,作为用于进行板状部件的薄型化的方法,已知一种对板状部件进行研磨的方法(例如,参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:(日本)特开2004-66376号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
然而,在专利文献1所述的现有的方法中,需要使用纯水对作为板状部件的半导体晶片进行冷却和清洗等。纯水的使用是薄型化板状部件的制造成本升高的主要原因之一。并且,利用专利文献1所述的研磨进行的薄型化方法,需要花费时间进行薄型化。并且,利用专利文献1所述的研磨进行的薄型化方法因为使砥石与板状部件接触并施加物理压力,因而存在板状部件破裂的隐患和留下研磨痕迹的可能性。并且,在利用专利文献1所述的研磨进行的薄型化方法中,希望提高薄型化板状部件的厚度精度。
本发明的目的在于提供一种薄型化板状部件的制造方法以及薄型化板状部件的制造装置,无需使用纯水,能够缩短薄型化的时间、抑制板状部件的破裂并且使厚度精度提高。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个形态的薄型化板状部件的制造方法具有:激光照射工序,其向板状部件照射激光;分割工序,其将所述板状部件沿着分割面分割,至少形成第一薄型化板状部件和第二薄型化板状部件;在向所述板状部件照射激光的工序中,在所述板状部件的内部沿着所述分割面形成多个改性部,所述第一薄型化板状部件的厚度比所述板状部件的厚度小,所述第二薄型化板状部件的厚度比所述板状部件的厚度小。
在本发明的一个形态的薄型化板状部件的制造方法中,优选在所述激光照射工序中,使所述激光的照射点的位置从所述板状部件的外周部侧向所述板状部件的中心部侧移动,并且在所述板状部件以恒定的间隔形成多个所述改性部。
在本发明的一个形态的薄型化板状部件的制造方法中,优选在所述激光照射工序中,使所述激光的照射点的位置移动,并且在所述板状部件形成多个所述改性部,所述板状部件的外周部侧的所述照射点彼此的间隔与所述板状部件的中心部侧的所述照射点彼此的间隔不同。
在本发明的一个形态的薄型化板状部件的制造方法中,优选所述板状部件的外周部侧的所述照射点彼此的间隔比所述板状部件的中心部侧的所述照射点彼此的间隔小。
在本发明的一个形态的薄型化板状部件的制造方法中,优选所述照射点彼此的间隔随着从所述板状部件的外周部侧向所述板状部件的中心部侧而增大。
在本发明的一个形态的薄型化板状部件的制造方法中,优选所述板状部件具有所述板状部件的外周部侧的第一区域、所述板状部件的中心部侧的第二区域和所述第一区域与所述第二区域之间的第三区域,相对于所述第一区域,以第一间隔向多个部位照射所述激光,相对于所述第三区域,以第三间隔向多个部位照射所述激光,相对于所述第二区域,以第二间隔向多个部位照射所述激光,所述第一间隔比所述第三间隔小,所述第三间隔比所述第二间隔小。
在本发明的一个形态的薄型化板状部件的制造方法中,优选通过使照射所述激光的激光照射器和所述板状部件的至少任一部件移动,使所述激光照射工序中的所述激光的照射点的位置移动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造