[发明专利]阻气膜及阻气膜的制造方法

权利要求书

1.一种阻气膜，其中，

依次具有支承体、被所述支承体支承的无机层和树脂膜，

所述树脂膜具有羟基，

所述无机层和所述树脂膜在界面处局部具有分离部而被直接接合，该阻气膜具有一组以上所述无机层和所述树脂膜的组合，

所述分离部的长度的总和相对于所述无机层和所述树脂膜的界面处的总长度为0.01％～50％。

2.根据权利要求1所述的阻气膜，其中，

所述无机层包括含有硅的化合物。

3.根据权利要求2所述的阻气膜，其中，

所述无机层和所述树脂膜的接合部通过Si-O-C的共价键接合。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的阻气膜，其中，

所述树脂膜是乙烯-乙烯醇共聚物。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的阻气膜，其中，

所述树脂膜的熔点为100℃以上。

6.根据权利要求1～3中任一项所述的阻气膜，其中，

所述树脂膜的折射率小于所述支承体的折射率。

7.根据权利要求1～3中任一项所述的阻气膜，其中，

在所述支承体的表面还具有有机层，在所述有机层的表面具有所述无机层。

8.根据权利要求1～3中任一项所述的阻气膜，其中，

在所述树脂膜的与被直接接合的所述无机层相反侧的面上，从所述树脂膜起还依次具有无机层和支承体。

9.一种阻气膜的制造方法，其中，包括：

成膜工序，通过气相沉积法形成无机层；

层叠工序，在所述无机层的表面层叠具有羟基的树脂膜；以及

加热工序，加热所述无机层和所述树脂膜，

所述无机层和所述树脂膜在界面处局部具有分离部而被直接接合，

所述分离部的长度的总和相对于所述无机层和所述树脂膜的界面处的总长度为0.01％～50％。

10.根据权利要求9所述的阻气膜的制造方法，其中，

在真空中进行所述成膜工序和所述层叠工序，或者在真空中进行所述成膜工序、所述层叠工序以及所述加热工序。

11.根据权利要求9所述的阻气膜的制造方法，其中，

所述阻气膜具有支承所述无机层及所述树脂膜的支承体，

以使得所述支承体的温度达到100℃以上的方式进行所述加热工序。

12.根据权利要求9～11中任一项所述的阻气膜的制造方法，其中，

通过卷对卷进行所述成膜工序、所述层叠工序及所述加热工序中的至少一个工序。