[发明专利]太阳能电池的制造方法、太阳能电池以及太阳能电池模块

说明书

提供抑制电极层间的漏电流的增加、抑制填充因子的下降的太阳能电池的制造方法。太阳能电池的制造方法是背面电极型的太阳能电池(1)的制造方法，太阳能电池(1)具备：半导体基板(11)，其在背面侧具有凹凸结构；第1导电型半导体层(25)和第1电极层(27)，其层叠在半导体基板(11)的背面侧；以及第2导电型半导体层(35)和第2电极层(37)，太阳能电池(1)的制造方法包含：电极材料膜形成工序，在第1导电型半导体层(25)和第2导电型半导体层(35)上，使用物理气相生长法形成电极材料膜；以及图案化工序，进行将电极材料膜的一部分除去的图案化，以在Y方向上延伸并且在与Y方向交叉的X方向上排列的方式形成带状的第1电极层(27)和第2电极层(37)，在电极材料膜形成工序中，一边在X方向上搬运半导体基板(11)，一边形成电极材料膜。

技术领域

本发明涉及背面电极型(背面接触型；Back contact type)的太阳能电池的制造方法、太阳能电池以及具备该太阳能电池的太阳能电池模块。

背景技术

作为使用了半导体基板的太阳能电池，有在受光面侧和背面侧这两个面形成有电极的双面电极型的太阳能电池、以及仅在背面侧形成有电极的背面电极型的太阳能电池。在双面电极型的太阳能电池中，由于在受光面侧形成电极，因此，太阳光会被该电极遮挡。而在背面电极型的太阳能电池中，由于在受光面侧不形成电极，因此，与双面电极型的太阳能电池相比，太阳光的受光率高。在专利文献1中公开了背面电极型的太阳能电池。

专利文献1所述的太阳能电池具备：半导体基板，其作为光电转换层发挥功能；第1导电型半导体层和第1电极层，其按顺序层叠在半导体基板的背面侧的一部分；以及第2导电型半导体层和第2电极层，其按顺序层叠在半导体基板的背面侧的另一部分。在该太阳能电池中，为了减少入射光的反射，提高半导体基板中的光封闭效果，在半导体基板的受光面侧具有被称为纹理(Texture)结构的金字塔形的微细的凹凸结构。另外，在该太阳能电池中，为了提高未被吸收而通过了半导体基板的光的回收效率，在半导体基板的背面侧(电极形成面侧)具有同样的凹凸结构(纹理结构)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2016/114371号

发明内容

发明要解决的问题

在这种太阳能电池中，例如使用溅射法等物理气相生长法(PVD)作为第1电极层和第2电极层的形成方法。具体来说，在层叠于半导体基板的背面侧的第1导电型半导体层和第2导电型半导体层上，使用物理气相生长法形成电极材料膜(电极材料膜形成工序)，然后，使用光刻法等进行将电极材料膜的一部分除去的图案化，形成相互分离的第1电极层和第2电极层(图案化工序)。

这样，在使用了背面侧具有凹凸结构(纹理结构)的半导体基板的背面电极型的太阳能电池中，当使用物理气相生长法形成第1电极层和第2电极层时，有时第1电极层与第2电极层之间的漏电流会增加，填充因子会下降。

本发明的目的在于，提供抑制电极层间的漏电流的增加、抑制填充因子的下降的太阳能电池的制造方法、太阳能电池以及具备该太阳能电池的太阳能电池模块。

用于解决问题的方案