[发明专利]框架一体型掩模的制造方法

权利要求书

1.一种框架一体型掩模的制造方法，制造由掩模和用于支撑掩模的框架一体形成的框架一体型掩模，其中，所述方法包括以下步骤：

(a)在一表面形成有经图案化的绝缘部的导电性基板上，通过电铸形成镀膜；

(b)在框架上部的至少一部分上，形成含有金属的粘合部，并将镀膜的边缘中的至少一部分对应于粘合部；

(c)对粘合部施加预定温度、预定压力中的至少一个；以及

(d)解除预定温度、预定压力中的至少一个，并将镀膜与框架粘合。

2.如权利要求1所述的框架一体型掩模的制造方法，其中，

粘合部包括至少两种金属合金。

3.如权利要求2所述的框架一体型掩模的制造方法，其中，

在步骤(c)中，粘合部的至少一部分由固相变成液相，

在步骤(d)中，粘合部的液相再度变成固相，并将镀膜与框架粘合。

4.如权利要求1所述的框架一体型掩模的制造方法，其中，

粘合部包括：

第一金属，为选自In、Bi、Sn、Au中的任意一种；以及

第二金属，为选自In、Bi、Sn、Ag、Cu、Zn、Bi、Sb、Ge中的任意一种且与第一金属不同。

5.如权利要求4所述的框架一体型掩模的制造方法，其中，

粘合部还包括第三金属，该第三金属为选自Bi、Sn、Ag、Cu、Cd中的任意一种且与第一金属和第二金属不同。

6.如权利要求5所述的框架一体型掩模的制造方法，其中，

粘合部还包括第四金属，该第四金属为选自Cu、Sb中的任意一种且与第一金属、第二金属及第三金属不同。

7.如权利要求1所述的框架一体型掩模的制造方法，其中，

步骤(c)在惰性气体气氛下进行。

8.如权利要求1所述的框架一体型掩模的制造方法，其中，

导电性基板为经掺杂的单晶硅材料。

9.如权利要求1所述的框架一体型掩模的制造方法，其中，

绝缘部为光刻胶、氧化硅、氮化硅的材料中的任意一种。

10.如权利要求1所述的框架一体型掩模的制造方法，其中，

框架具有包围镀膜的形状。

11.如权利要求1所述的框架一体型掩模的制造方法，其中，

在步骤(d)中，镀膜在向外侧承受拉伸力的状态下粘合于框架上部。

12.如权利要求1所述的框架一体型掩模的制造方法，其中，

在步骤(a)中，防止在绝缘部上形成镀膜，从而使镀膜具有图案。

13.如权利要求1所述的框架一体型掩模的制造方法，其中，

在步骤(a)之后进一步执行对镀膜的热处理的步骤。

14.如权利要求13所述的框架一体型掩模的制造方法，其中，

热处理在300℃～800℃下进行。