[发明专利]用于制造同质结光伏电池的方法

权利要求书

1.一种用于制造光伏电池的方法，所述方法包括以下步骤：

a)提供晶体硅衬底(1)，其包括：

-第一表面(10)；

-第二表面(11)，其与所述第一表面(10)相对，并且覆盖有至少一层隧道氧化膜(2)；

b)在所述隧道氧化膜(2)上形成多晶硅层(3)；

c)在所述多晶硅层(3)的一部分(3a)上形成第一防反射层(4)，使得所述多晶硅层(3)具有自由区域(ZL)，所述第一防反射层(4)适于为多晶硅层(3)的所述部分(3a)的热氧化提供阻挡；

d)使所述多晶硅层(3)的自由区域(ZL)热氧化，以便在所述自由区域(ZL)上形成第二防反射层(5)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤d)在严格低于850℃的温度下执行。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在所述步骤d)结束时形成的第二防反射层(5)是厚度为40nm至100nm的多晶硅热氧化物。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，通过使用蒸汽来执行所述步骤d)。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在所述步骤b)期间形成的多晶硅层(3)具有初始厚度，并且其中在其上形成有所述第二防反射层(5)的多晶硅层(3b)在步骤d)结束的厚度严格小于初始厚度。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，在其上形成有所述第二防反射层(5)的多晶硅层(3b)具有严格小于10nm的厚度。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述步骤b)期间形成的多晶硅层(3)的初始厚度为60nm至90nm。

8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述多晶硅层(3)的在其上形成有第一防反射层(4)的所述部分(3a)在所述步骤d)结束时保持初始厚度。

9.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在所述步骤b)期间形成的多晶硅层(3)是p型或n型掺杂的。

10.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在所述步骤c)期间形成的第一防反射层(4)由选自包括氧化铝、氮化硅、氧化钛的组中的至少一种材料制成。

11.根据权利要求1或2所述的方法，其中，覆盖在所述步骤a)中提供的衬底(1)的第二表面(11)的隧道氧化膜(2)具有严格小于3nm的厚度。

12.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在所述步骤a)期间提供的衬底(1)和在所述步骤b)期间形成的多晶硅层(3)掺杂有相同类型的导电性。

13.根据权利要求2的方法，其中，所述步骤d)在700℃到800℃的温度下执行。

14.根据权利要求9所述的方法，其中，所述多晶硅层(3)的掺杂剂的浓度为5×10¹⁷at.cm^-3至5×10²⁰at.cm^-3。

15.根据权利要求12所述的方法，其中，所述衬底(1)具有严格小于250μm的厚度。

16.根据权利要求12所述的方法，其中，所述衬底(1)具有小于200μm的厚度。