[发明专利]用于制造同质结光伏电池的方法

说明书

该方法包括以下步骤：a)提供晶体硅衬底(1)，其包括：‑第一表面(10)；‑第二表面(11)，其与所述第一表面(10)相对，并且覆盖有至少一层隧道氧化膜(2)；b)在所述隧道氧化膜(2)上形成多晶硅层；c)在所述多晶硅层的一部分(3a)上形成第一防反射层(4)，使得所述多晶硅层具有自由区域，所述第一防反射层(4)适于为多晶硅层(3)的所述部分(3a)的热氧化提供阻挡；d)使所述多晶硅层的自由区域热氧化，以便在所述自由区域上形成第二防反射层(5)。

技术领域

本发明涉及同质结硅光伏电池的技术领域。更具体地，本发明涉及双面光伏电池的制造，也就是说其包括：

-第一表面，其用于直接暴露于太阳辐射；

-第二相对表面，其可以例如通过漫射辐射或通过反照率效应间接接收太阳辐射。

本发明特别地在称为“高温”的同质结的光伏电池的制造中找到其应用，也就是说，其构成材料与在高于300℃的温度下的热处理的使用兼容。

背景技术

从现有技术中已知的光伏电池，特别地从以下文件已知：F.Feldmann等人的“Passivated rear contacts for high-efficiency n-type Si solar cells providinghigh interface passivation quality and excellent transport characteristics”，Solar Energy MaterialsSolar Cells,120,270-274,2014(以下称为D1)，MK Stodolny等人的“n-Type polysilicon passivating contact for industrial bifacial n-typesolar cells”，Solar Energy MaterialsSolar Cells,158,24-28,2016，(以下称为D2)，R.Peibst等人的“Implementation of n+and p+POLO junctions on front and rearside of double-side contacted industrial silicon solar cells”，32^nd EuropeanPhotovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition,2016(以下简称D3)，所述光伏电池包括：

-晶体硅衬底，包括：

第一表面(所述前表面)，其用于暴露于太阳辐射；

第二表面(称为背面)，其与第一表面相对，并覆盖有氧化膜(通常称为隧道氧化物)；

-掺杂多晶硅层，其形成在氧化膜上。

由隧道氧化物堆叠/多晶硅层限定的结构形成钝化的接触结构，并且与传统的光伏电池相比，使得能够提高光伏电池的性能，即增加开路电压(V_oc)。

然而，如D2第3.3节所述，如果希望在掺杂多晶硅层(存在于D1和D3中)上省掉昂贵的透明导电氧化物层，这种先进的光伏电池在其工业化要求掺杂多晶硅层的相当大的厚度(大于60nm；D2提到厚度为70nm至200nm)方面并不完全令人满意。然而，对于这样的厚度，多晶硅层内的光子的寄生吸收通过增加通过光伏电池的短路电流(I_cc)而具有有害影响。

发明内容

本发明旨在弥补所有或部分上述缺点。

第一种解决方案可以包括：

a₀₁)提供一种晶体硅衬底，包括：

-第一表面，其用于暴露于太阳辐射；

-第二表面，其与第一表面相对，并覆盖有隧道氧化膜；