[发明专利]微蚀刻剂、铜表面的粗化方法以及配线基板的制造方法有效
| 申请号： | 201880058835.9 | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN111094628B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 荻野悠贵;坂本贵裕;漆畑薫 | 申请（专利权）人： | MEC股份有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;H05K3/38 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李慧慧;向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 表面 方法 以及 配线基板 制造 | ||
1.一种微蚀刻剂，是用于铜的表面粗化，为包含有机酸、二价铜离子以及氯化物离子的酸性水溶液；
其特征在于，所述氯化物离子的摩尔浓度为0.005摩尔/L至0.1摩尔/L；
二价铜离子的摩尔浓度为氯化物离子的摩尔浓度的2.2倍以上。
2.根据权利要求1所述的微蚀刻剂，其特征在于，二价铜离子的摩尔浓度为0.05摩尔/L至2摩尔/L。
3.根据权利要求1或2所述的微蚀刻剂，其特征在于，实质上不包含重量平均分子量1000以上的阳离子型聚合物。
4.一种铜表面的粗化方法，是通过使微蚀刻剂接触铜的表面而粗化铜表面；
其特征在于，所述微蚀刻剂为包含有机酸、二价铜离子以及氯化物离子的酸性水溶液，且所述氯化物离子的摩尔浓度为0.005摩尔/L至0.1摩尔/L；
二价铜离子的摩尔浓度为氯化物离子的摩尔浓度的2.2倍以上；
基于所述微蚀刻剂产生的在深度方向的平均蚀刻量为0.01μm至0.4μm。
5.根据权利要求4所述的铜表面的粗化方法，其特征在于，所述微蚀刻剂的二价铜离子的摩尔浓度为0.05摩尔/L至2摩尔/L。
6.根据权利要求4所述的铜表面的粗化方法，其特征在于，所述微蚀刻剂实质上不包含重量平均分子量1000以上的阳离子型聚合物。
7.根据权利要求4所述的铜表面的粗化方法，其特征在于，一边于所述微蚀刻剂中添加含有有机酸以及氯化物离子的补给液，一边粗化铜表面。
8.根据权利要求7所述的铜表面的粗化方法，其特征在于，所述补给液实质上不包含重量平均分子量1000以上的阳离子型聚合物。
9.一种配线基板的制造方法，具有：通过使微蚀刻剂接触铜的表面而粗化铜表面的步骤；以及将树脂附着于粗化后的铜表面的步骤；
其特征在于，所述微蚀刻剂为包含有机酸、二价铜离子以及氯化物离子的酸性水溶液，且所述氯化物离子的摩尔浓度为0.005摩尔/L至0.1摩尔/L；
二价铜离子的摩尔浓度为氯化物离子的摩尔浓度的2.2倍以上；
基于所述微蚀刻剂产生的在深度方向的平均蚀刻量为0.01μm至0.4μm。
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