[发明专利]微蚀刻剂、铜表面的粗化方法以及配线基板的制造方法

说明书

本发明涉及一种微蚀刻剂，所述微蚀刻剂包含有机酸、二价铜离子以及卤化物离子的酸性水溶液。卤化物离子的摩尔浓度为0.005摩尔/L至0.1摩尔/L。通过使微蚀刻剂接触铜的表面而粗化铜表面。粗化时的深度方向的平均蚀刻量优选为0.4μm以下。本发明的微蚀刻剂即使在低蚀刻量下，也可于铜表面形成与树脂等的密合性优异的粗化形状。

技术领域

本发明是关于一种铜的微蚀刻剂、铜表面的粗化方法、以及配线基板的制造方法。

背景技术

印刷配线基板的制造之中，为了提高铜表面与阻焊剂等树脂材料的密合性而通过微蚀刻剂(粗化剂)来粗化铜表面。作为铜或是铜合金的微蚀刻剂，已知有机酸系列微蚀刻剂以及无机酸系列微蚀刻剂。这些微蚀刻剂包含酸以及氧化剂，进而以粗化形状或蚀刻速度的调整等作为目的而添加卤素、聚合物、表面活性剂等。

一般而言，利用微蚀刻剂进行粗化有下述倾向：伴随蚀刻量增大，粗化的进行会形成深的凹凸，铜表面与树脂等的密合性会提高。另一方面，若将铜配线通过微蚀刻剂进行粗化，则伴随蚀刻的进行可能产生线变细、高电阻化或断线等不佳的情况。伴随配线的窄节距化(细微配线化)，由于配线的线变细的影响变得显著，故需要可以低蚀刻量来实现高的密合性的微蚀刻剂。

有机酸系列的蚀刻剂相较于无机酸系列的蚀刻剂，即使在低蚀刻量下也可进行粗化。例如专利文献1揭示了聚合物与含胺基化合物的浓度比为既定范围的有机酸系列蚀刻剂，可以0.7μm左右的蚀刻深度形成与树脂的密合性优异的粗化形状。

[现有技术文献]

[专利文献]

专利文献1：WO2014/017115号公报。

发明内容

[发明所要解决的问题]

近年来，配线的窄节距化(细微配线化)迅速发展。随之而来，需要可以更小的蚀刻量而形成与树脂的密合性优异的粗化形状的微蚀刻剂。

[解决问题的技术手段]

本发明基于下述知识见解所得：在使用卤化物离子浓度小的有机酸系列的水溶液处理铜表面时，在低蚀刻量之中可特异地形成在与树脂等的密合性方面优异的粗化形状。另外，本说明书中的“铜”包含铜以及铜合金。此外，“铜层”也包含铜配线图案层。

本发明的微蚀刻剂包含有机酸、二价铜离子以及卤化物离子的酸性水溶液。微蚀刻剂的卤化物离子浓度为0.005摩尔/L至0.10摩尔/L。二价铜离子的摩尔浓度优选为卤化物离子的摩尔浓度的2.2倍以上。二价铜离子浓度优选为0.05摩尔/L至2摩尔/L。

一实施方式之中，微蚀刻剂实质上不包含聚合物。由于微蚀刻剂不以聚合物作为必要成分，故微蚀刻剂中的各成分的浓度管理容易，且废液或排水的处理也容易。

进而，本发明是关于使用所述微蚀刻剂的铜表面的粗化方法以及配线基板的制造方法。通过使微蚀刻剂接触铜表面而粗化铜表面。粗化处理中的蚀刻量优选为0.4μm以下。另外，所谓“蚀刻量”是指深度方向的平均蚀刻量(溶解量)，通过微蚀刻剂所溶解的铜的重量、比重以及铜表面的正面投影面积所算出的值。关于以下的“蚀刻量”而言也同样适用。配线基板的制造之中会实施对粗化后的铜表面附着树脂的步骤。

[发明的效果]

通过本发明，可以低蚀刻量于铜表面形成与树脂等的密合性优异的粗化形状。

附图说明

图1是绘制出在使用调配1至调配7的微蚀刻剂所处理过的铜表面形成有树脂层的复合体中，蚀刻量与剥离强度的关系的图。

图2是绘制出在使用调配1至调配5的微蚀刻剂所处理过的铜表面形成有树脂层的复合体的吸湿劣化后的试样中，蚀刻量与剥离强度的关系的图。

具体实施方式

[微蚀刻剂的组成]