[发明专利]小晶粒芯片的晶圆级测试及初始化在审
申请号: | 201880058875.3 | 申请日: | 2018-09-28 |
公开(公告)号: | CN111095511A | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 宗藤诚治;C·苏布拉曼尼亚;堀部晃启;末冈邦昭;甲田泰照 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 刘都;于静 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶粒 芯片 晶圆级 测试 初始化 | ||
1.一种芯片中间体,包括:
半导体区域,包括多个分别被切割为半导体芯片的芯片区域;
沿所述芯片区域的边缘设置的切割区域,所述切割区域被切割以切出半导体芯片;
接触区域,其被设置在横跨所述切割区域的所述芯片区域的对面,所述接触区域被配置为由测试单元的探针接触以测试所述芯片区域;以及
与所述切割区域一起连续地设置的电气配线,用以连接所述芯片区域和所述接触区域。
2.根据权利要求1所述的芯片中间体,其中所述芯片区域中的每一个包括在所述芯片区域的表面上的凸起。
3.根据权利要求2所述的芯片中间体,其中所述接触区域包括多个测试垫,所述测试垫被配置为由测试单元的探针的相应接触点接触,并且所述测试垫中的每一个具有比所述凸起中的每一个更大的面积。
4.根据前述权利要求中任一项所述的芯片中间体,其中所述切割区域包括至少互连所述芯片区域并且连接所述芯片区域和所述接触区域的其它电气布线。
5.根据权利要求4所述的芯片中间体,其中所述其它电气布线与所述电气布线电连接。
6.根据权利要求4或5所述的芯片中间体,其中,所述芯片区域中的每一个包括电路布线,并且所述其它电气布线和所述电路布线存在于所述芯片中间体的同一层中。
7.根据权利要求6所述的芯片中间体,其中所述电路布线被设置为与所述芯片区域和所述切割区域之间的边界分离。
8.根据前述权利要求中任一项所述的芯片中间体,其中所述芯片中间体是板状构件并且在平面图中具有大体正方形形状。
9.根据权利要求8所述的芯片中间体,其中所述接触区域沿着所述芯片中间体的边缘设置。
10.一种半导体芯片制造系统,用于制造权利要求1至9中任一项所述的芯片中间体。
11.如权利要求10所述的半导体芯片制造系统,还包括:
测试单元,用于测试所述芯片区域,所述测试单元包括探针,用以接触所述接触区域以测试所述芯片区域;以及
分离单元,用于切割所述切割区域以切出所述半导体芯片。
12.一种用于测试芯片区域的方法,包括:
制造权利要求1至9中任一项所述的芯片中间体;以及
用测试单元的探针接触所述接触区域来测试所述芯片区域。
13.一种用于制造半导体芯片的方法,包括:
用测试单元的探针测试在根据权利要求1至9中任一项所述的芯片中间体上设置的半导体区域;以及
切割所述切割区域以切出所述半导体芯片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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