[发明专利]小晶粒芯片的晶圆级测试及初始化

说明书

芯片中间体包括包括多个芯片区域的半导体区域。所述芯片区域分别被切割为半导体芯片。沿着所述芯片区域的边缘设置切割区域，所述切割区域被切割以切出所述半导体芯片。在横跨所述切割区域的芯片区域的对面设置接触区域，所述接触区域被配置得与测试单元的探针接触以测试所述芯片区域，并且与切割区域一起连续地设置电气布线以连接所述芯片区域和所述接触区域。

技术领域

本发明涉及测试多个半导体芯片。

相关技术

近来已经知道关于测试多个半导体芯片的各种技术。

目前，在下，“小晶粒芯片”尺寸约为100微米×100微米，带有微凸起(20微米间距)，且预计会变得更小，每一芯片逻辑测试的成本以及设备初始化(例如将初始数据写入非易失性存储器)是昂贵的，且现有的制造测试方法无法探测微凸起。

现有技术包括晶圆级测试和老化(WLTBI)，其通过在晶圆级进行测试而降低制造成本。

因此，在本领域中需要解决上述问题。

发明内容

从第一方面来看，本发明提供一种芯片中间体，包括：半导体区域，其包括多个芯片区域，所述芯片区域分别被切割为半导体芯片；沿所述芯片区域的边缘设置的切割区域，所述切割区域被切割以切出所述半导体芯片；在横跨所述切割区域的所述芯片区域的对面设置的接触区域，所述接触区域被配置为由测试单元的探针接触以测试所述芯片区域；以及与所述切割区域一起连续地设置以连接所述芯片区域和所述接触区域的电气布线。

从另一方面来看，本发明提供了一种用于制造本发明的芯片中间体的半导体芯片制造系统。

从另一方面来看，本发明提供了一种用于测试芯片区域的方法，包括：制造本发明的芯片中间体；以及用测试单元的探针接触所述接触区域以测试所述芯片区域。

从另一方面看，本发明提供一种制造半导体芯片的方法，包括：用测试单元的探针测试设置在本发明的芯片中间体上的半导体区域；切割所述切割区域，以切出所述半导体芯片。

根据本发明的实施例，提供了一种芯片中间体。该芯片中间体包括半导体区域、切割区域、接触区域和电气布线。所述半导体区域包括多个芯片区域。所述芯片区域分别被切割为半导体芯片。所述切割区域沿着所述芯片区域的边缘设置。切割所述切割区域以切出所述半导体芯片。所述接触区域设置在横跨所述切割区域的所述芯片区域的对面。所述接触区域被测试单元的探针接触，以测试所述芯片区域。与切割区域一起连续地设置所述电气布线，以连接所述芯片区域与所述接触区域。

根据本发明的另一实施例，提供了一种用于制造芯片中间体的芯片中间体制造系统。芯片中间体包括半导体区域、切割区域、接触区域和电气布线。半导体区域包括多个芯片区域。芯片区域分别被切割为半导体芯片。切割区域沿着芯片区域的边缘设置。切割该切割区域以切出所述半导体芯片。所述接触区域设置在横跨所述切割区域的所述芯片区域的对面。所述接触区域被测试单元的探针接触，以测试所述芯片区域。与切割区域一起连续地设置所述电气布线，以连接所述芯片区域与所述接触区域。

根据本发明的又一实施例，提供了一种半导体芯片制造系统。半导体芯片制造系统包括制造单元、测试单元和分离单元。制造单元制造包括半导体区域、切割区域、接触区域和电气布线的芯片中间体。半导体区域包括分别被切割为半导体芯片的多个芯片区域。切割区域沿着芯片区域的边缘设置。切割该切割区域以切出所述半导体芯片。所述接触区域设置在横跨所述切割区域的所述芯片区域的对面。与切割区域一起连续地设置所述电气布线，以连接所述芯片区域与所述接触区域。测试单元测试所述芯片区域。测试单元包括探针，用以接触所述接触区域来测试所述芯片区域。分离单元切割所述切割区域以切出所述半导体芯片。