[发明专利]LED单元、图像显示元件及其制造方法在审
申请号: | 201880059256.6 | 申请日: | 2018-03-07 |
公开(公告)号: | CN111108613A | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 井口胜次;前川真澄 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L33/08 | 分类号: | H01L33/08;G09F9/30;H01L33/62 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 王娟 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | led 单元 图像 显示 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种在像素区域包括多个LED芯片的LED单元,所述LED芯片包含将N型层、发光层及P型层依序层叠的氮化物半导体,所述LED单元的特征在于,设置有第一配线和第二配线,
所述第一配线以贯穿所述N型层及所述P型层之间的方式配置在形成于所述氮化物半导体的槽的内部,且与所述N型层电连接,
所述第二配线包含与所述P型层连接的P电极、以及与所述第一配线连接的所述N电极;
所述N电极及所述P电极形成于同一表面。
2.如权利要求1所记载的LED单元,其特征在于,在所述LED单元的外周,设置有用于将所述LED单元从另一LED单元切断的分割区域,
在所述分割区域,形成有用于将所述LED单元与另一LED单元分离的单元分离槽,
在所述单元分离槽的内部不存在有所述第一配线。
3.如权利要求2所记载的LED单元,其特征在于,在所述分割区域不存在有所述第一配线及第二配线。
4.如权利要求2或3所记载的LED单元,其特征在于,所述N电极被配置于设置在所述像素区域与所述分割区域之间的共用连接区域。
5.如权利要求4所记载的LED单元,其特征在于,所述N电极沿着大致矩形状的所述像素区域的四边而配置。
6.如权利要求1至3项中任一项所记载的LED单元,其特征在于,所述N电极被配置于设置在所述像素区域的内部的共用连接区域。
7.如权利要求1至6项中任一项所记载的LED单元,其特征在于,所述第一配线到达至所述LED芯片的光出射面为止。
8.如权利要求1至7项中任一项所记载的LED单元,其特征在于,沿着所述发光层的周边的所述LED芯片的光出射方向的侧面,相对于沿着所述发光层的延伸方向的平面,以30度至60度的范围倾斜。
9.如权利要求1至8项中任一项所记载的LED单元,其特征在于,所述第一配线包含铝或银。
10.如权利要求1至9项中任一项所记载的LED单元,其特征在于,与所述P型层相接而形成有接触层;
所述接触层包含透明导电膜、铝或银。
11.如权利要求1至10项中任一项所记载的LED单元,其特征在于,所述第一配线以包围多个所述LED芯片的方式配置。
12.如权利要求1至11项中任一项所记载的LED单元,其特征在于,所述N电极及所述P电极形成于与所述氮化物半导体中的设置有驱动电路基板的阴极电极及阳极电极的表面对向的表面。
13.一种图像显示元件,其特征在于,权利要求1至12项中任一项所记载的LED单元层叠于所述驱动电路基板上。
14.一种制造如权利要求1至12项中任一项所记载的LED单元的方法,其特征在于,包括以下工序:
于生长衬底上将由所述氮化物半导体构成的所述N型层、所述发光层、以及所述P型层依序沉积的工序;
对所述氮化物半导体进行蚀刻,形成所述槽的工序;
于所述槽的内部,形成所述第一配线的工序;
于所述氮化物半导体的表面,形成所述第二配线的工序;以及
对包围所述LED单元的外周的单元分离槽的所述第一配线及所述第二配线进行去除的工序。
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