[发明专利]LED单元、图像显示元件及其制造方法

说明书

将形成于同一表面的N电极及P电极，以一次的连接工序而与驱动电路基板的阴极电极及阳极电极粘贴。设置有第一配线(21)和第二配线：所述第一配线(21)以贯穿N型层(10)及P型层(12)之间的方式配置在形成于氮化物半导体(13)的槽的内部，且与N型层(10)电连接；所述第二配线包含与P型层(12)连接的P电极(30)、及与第一配线(21)连接的N电极(31)，N电极(31)及P电极(30)形成于同一表面。

技术领域

本发明关于LED单元、图像显示元件及其制造方法。

背景技术

在平面显示器的技术领域中，液晶显示元件从大型到中小型被广泛使用。虽然液晶显示器的液晶显示元件通过用液晶显示元件将背光源光打开/关闭，来调整各像素的亮度，但是由于难以完全地对光进行遮断，导致对比度受到限制。另外，通过彩色滤光片，表现R(RED：红)、G(GREEN：绿)、B(BLUE：蓝)的各颜色，由于无法将R、G、B各彩色滤光片的透光带完全地分离，因此演色性也受到限制。

另一方面，有机EL(电致发光)显示器是自体发光元件，且通过配置R、G、B的各单色发光元件，期待可解决上述的液晶显示器的对比度与演色性的问题。实际上，有机EL显示器被实用化在智能手机用的小型显示元件。

但是，由于有机EL显示器的发光层为有机物，亮度容易随着时间劣化，虽然被使用在产品寿命较短的的智能手机上，但难以适用在长期使用的产品中。另外，在长期使用的情况下，需要用于补偿随着时间劣化的复杂的电路。

作为解决以上这种液晶显示器、有机EL电致发光的问题的技术，提出了通过二维阵列状地配置氮化物半导体制的LED芯片，从而得到亮度、对比度高、且演色性优异的平面显示器(参照专利文献1及2)。

尤其是二维阵列状地配置LED芯片的显示器，与有机EL显示器相比，由于发光效率高，且长期可靠度高，因此能够实现即便在室外也易于观看的高亮度的显示器。关于超大型的液晶显示元件，作为数字标牌(digital signage)用而开始实用化，也作为可穿戴终端、TV用而进行开发。

上述的这种LED芯片被称为微型LED芯片，且进行细致化研究，在学术研讨会发表有7μm程度的大小微型LED芯片(参照非专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-272591(2009年11月19日公开)。

专利文献2：日本特表2016-503958(2016年2月8日公表)。

非专利文献

非专利文献1：Francois Olivier,Anis Daami,Ludovic Dupre,Franck Henry,Bernard Aventurier,Francois Templier,Investigation and Improvement of 10μmPixel-pitch GaN-based Micro-LED Arrays with Very High Brightness,SID 2017DIGEST,P353。

发明内容

本发明所要解决的技术问题

然而，由上述的专利文献1、2及非专利文献1所记载的结构、方法，在生产微型LED芯片时，存在有下述的各种问题。