[发明专利]发光装置及其制造方法、以及投影仪有效

专利信息
申请号: 201880059277.8 申请日: 2018-09-05
公开(公告)号: CN111095699B 公开(公告)日: 2021-10-15
发明(设计)人: 名川伦郁;岸野克巳 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社;学校法人上智学院
主分类号: H01S5/20 分类号: H01S5/20;H01S5/11;G03B21/00;G03B21/14;H04N9/31
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 邓毅;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 发光 装置 及其 制造 方法 以及 投影仪
【权利要求书】:

1.一种发光装置,该发光装置具有:

基体;

层叠体,其设置于所述基体,具有多个柱状部;以及

电极,其设置在所述层叠体的与所述基体侧相反的一侧,

所述柱状部具有:

第1半导体层;

第2半导体层,其导电型与所述第1半导体层不同;以及

有源层,其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间,

所述层叠体具有:

光传播层,其设置在相邻的所述柱状部的所述有源层之间;

第1低折射率部,其设置在所述光传播层与所述基体之间,具有比所述光传播层的折射率低的折射率;以及

第2低折射率部,其设置在所述光传播层与所述电极之间,具有比所述光传播层的折射率低的折射率。

2.根据权利要求1所述的发光装置,其中,

所述第1低折射率部是空隙。

3.根据权利要求1或2所述的发光装置,其中,

所述第2低折射率部是空隙。

4.根据权利要求1或2所述的发光装置,其中,

所述有源层包含镓和氮,

所述光传播层包含铝、镓以及氮。

5.根据权利要求1或2所述的发光装置,其中,

所述光传播层的折射率与所述有源层的折射率不同。

6.根据权利要求1或2所述的发光装置,其中,

所述有源层的折射率与所述光传播层的折射率之差小于所述光传播层的折射率与空气的折射率之差。

7.根据权利要求1或2所述的发光装置,其中,

所述光传播层设置在相邻的所述柱状部的所述第1半导体层之间以及相邻的所述柱状部的所述第2半导体层之间,

所述光传播层在相邻的所述柱状部的所述有源层之间的、与所述第1半导体层和所述有源层的层叠方向垂直的方向的截面积比所述光传播层的所述基体侧的所述垂直的方向的截面积大,并且比所述光传播层的所述电极侧的所述垂直的方向的截面积大。

8.根据权利要求1或2所述的发光装置,其中,

所述层叠体具有设置在所述柱状部与所述光传播层之间的第1绝缘层。

9.根据权利要求1或2所述的发光装置,其中,

所述层叠体具有设置在所述光传播层与所述电极之间的第2绝缘层。

10.一种发光装置的制造方法,具有如下的工序:

在基体上依次形成第1半导体层、有源层以及导电型与所述第1半导体层不同的第2半导体层,从而形成多个柱状部;

在相邻的所述柱状部之间埋入规定的材料而在相邻的所述柱状部的所述有源层之间形成光传播层,在所述基体与所述光传播层之间形成空隙;

对所述光传播层进行蚀刻而在相邻的所述柱状部的所述第2半导体层之间形成空隙;以及

在所述柱状部的与所述基体侧相反的一侧形成电极。

11.一种投影仪,该投影仪具有权利要求1~9中的任意一项所述的发光装置。

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