[发明专利]发光装置及其制造方法、以及投影仪

说明书

发光装置具有：基体；层叠体，其设置于所述基体，具有多个柱状部；以及电极，其设置在所述层叠体的与所述基体侧相反的一侧，所述柱状部具有：第1半导体层；第2半导体层，其导电型与所述第1半导体层不同；以及有源层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，所述层叠体具有：光传播层，其设置在相邻的所述柱状部的所述有源层之间；第1低折射率部，其设置在所述光传播层与所述基体之间，具有比所述光传播层的折射率低的折射率；以及第2低折射率部，其设置在所述光传播层与所述电极之间，具有比所述光传播层的折射率低的折射率。

技术领域

本发明涉及发光装置及其制造方法、以及投影仪。

背景技术

在半导体激光器、LED(Light Emitting Diode：发光二极管)等半导体发光装置中，使用了GaN系或GaAs系等的材料(例如参照专利文献1)。

例如将光限制在半导体激光器的有源层中是在很大程度上影响阈值电流密度等元件性能的重要因素。通过增大有源层与包覆层的折射率差，能够提高光限制系数。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-135858号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，在上述发光装置中，需要根据有源层的材料或基板的材料来考虑晶格匹配等条件，材料的选项被大幅限制。因此，难以取得有源层与包覆层的折射率之差，难以增大光限制系数。

本发明的几个方式的目的之一在于，提供光限制系数大的发光装置。或者，本发明的几个方式的目的之一在于，提供光限制系数大的发光装置的制造方法。或者，本发明的几个方式的目的之一在于，提供具有上述发光装置的投影仪。

用于解决课题的手段

本发明的发光装置具有：基体；层叠体，其设置于所述基体，具有多个柱状部；以及电极，其设置在所述层叠体的与所述基体侧相反的一侧，所述柱状部具有：第1半导体层；第2半导体层，其导电型与所述第1半导体层不同；以及有源层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，所述层叠体具有：光传播层，其设置在相邻的所述柱状部的所述有源层之间；第1低折射率部，其设置在所述光传播层与所述基体之间，具有比所述光传播层的折射率低的折射率；以及第2低折射率部，其设置在所述光传播层与所述电极之间，具有比所述光传播层的折射率低的折射率。

在这样的发光装置中，与未设置第1低折射率部和第2低折射率部的情况相比，光限制系数较大。

在本发明的发光装置中，也可以是，所述第1低折射率部是空隙。

在这样的发光装置中，与第1低折射率部不是空隙的情况相比，能够降低第1低折射率部的折射率。

在本发明的发光装置中，也可以是，所述第2低折射率部是空隙。

在这样的发光装置中，与第2低折射率部不是空隙的情况相比，能够降低第2低折射率部的折射率。

在本发明的发光装置中，也可以是，所述有源层包含镓和氮，所述光传播层包含铝、镓以及氮。

在这样的发光装置中，通过对光传播层中所含的铝的量进行调整，能够对光传播层的折射率进行调整，例如，能够使光传播层的折射率比有源层的折射率低。

在本发明的发光装置中，也可以是，所述光传播层的折射率与所述有源层的折射率不同。

在这样的发光装置中，多个柱状部能够表现出光子晶体的效果。

在本发明的发光装置中，也可以是，所述有源层的折射率与所述光传播层的折射率之差小于所述光传播层的折射率与空气的折射率之差。