[发明专利]用于从物体保持件移除污染物的研磨工具和方法在审
申请号: | 201880059335.7 | 申请日: | 2018-08-14 |
公开(公告)号: | CN111095113A | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | D·索拉比巴巴黑德利;K·M·利维;王青松 | 申请(专利权)人: | ASML控股股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 董莘 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 物体 保持 污染物 研磨 工具 方法 | ||
使用研磨工具对物体保持件的支撑表面进行处理的方法,研磨工具包括用于定位在物体保持件上、并与物体保持件接触的基本平坦的表面,其中研磨工具的基本平坦的表面在基本平坦的表面的预定区域内具有选自约1nm Ra至约100nm Ra范围内的粗糙度、具有小于或等于约3000nm的平坦度,或在基本平坦的表面的预定区域内具有至少约15nm Ra的粗糙度、以及小于或等于约3000nm的平坦度。
本申请要求于2017年9月15日提交的美国临时专利申请号62/559,468的优先权,其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本说明书涉及物体保持件以及清洁和/或研磨物体保持件表面的技术。
背景技术
光刻设备可以用于例如集成电路(IC)或其他器件的制造中。在这种情况下,图案形成装置(例如,掩模)可以包含或提供与器件的单独层相对应的图案(“设计布局”),并且通过诸如通过图案形成装置上的图案来辐射目标部分的方法,该图案可以被转印到衬底(例如,硅晶片)的目标部分(例如,包括一个或多个管芯)上,该衬底已经涂覆有辐射敏感材料(“抗蚀剂”)层。通常,单个衬底包含多个相邻的目标部分,图案由光刻设备被连续地转印到多个相邻的目标部分,一次一个目标部分。在一种类型的光刻设备中,整个图案形成装置上的图案一次转印到一个目标部分上;这种设备通常被称为步进器。在通常被称为步进扫描设备的备选设备中,投影束在给定的参考方向(“扫描”方向)上对图案形成装置进行扫描,同时同步地将衬底平行于或反平行于该参考方向移动。图案形成装置上的图案的不同部分渐进地被转印到一个目标部分。由于通常光刻设备将具有放大因数M(通常1),因此衬底移动的速度F将是投影束扫描图案形成装置的速度的因数M倍。
在将图案从图案形成装置转印到器件制造工艺的衬底的器件制备过程之前,衬底可以经历器件制造工艺的各种器件制备过程,诸如,涂底料、抗蚀剂涂覆和软烘烤。在曝光之后,可以对衬底进行器件制造工艺的其他器件制备过程(例如,曝光后烘烤(PEB)、显影和硬烘烤)。器件制备过程的该阵列被用作制作器件(例如,IC)的单独层的基础。该衬底然后可以经历器件制造工艺的各种器件制备过程,诸如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光等,所有这些过程均旨在完成器件的单独层。如果器件中需要若干层,则整个工艺或其变型针对每一层来重复。最终,器件将出现在衬底上的每个目标部分中。如果存在多个器件,则这些器件可以通过诸如切割或锯割的技术而彼此分离,然后单独器件可以被安装在载体上,并连接到引脚等。
因此,制造器件(例如,半导体器件)通常涉及使用数种制备工艺来处理衬底(例如,半导体晶片),以形成器件的各种特征和多个层。这样的层和特征通常使用例如沉积、光刻、蚀刻、化学机械抛光和离子注入来制造和处理。多个器件可以在衬底上的多个管芯上备制造,然后被分离成单独器件。该器件制造工艺可以被认为是图案化工艺。图案化工艺包括图案化步骤(例如,使用光刻设备的光学或纳米压印光刻)以在衬底上提供图案,并且通常但可选地涉及一个或多个相关的图案处理步骤(例如,通过显影设备对抗蚀剂进行显影、使用烘烤工具对衬底进行烘烤、使用蚀刻设备使用图案进行蚀刻等)。另外,图案形成工艺中通常涉及一个或多个量测工艺。
发明内容
例如,由于作为图案形成过程的一部分的成像和套刻要求,物体夹具和工作台(或一般地,物体保持件)的表面的准确性经常被测量。这样的物体保持件可以包括保持衬底的衬底支撑件,图案被投影到该衬底上,还可以包括其他物体保持件(例如,图案形成装置支撑件)。
物体保持件可能变成被污染的。例如,物体保持件可以具有一个或多个突起,物体被支撑在该一个或多个突起上。因为物体保持件与物体保持件的支撑表面仅具有有限的接触面积,这些突起通常具有用于以下的目的:减少在物体保持件的实际支撑表面与物体之间出现污染物的可能性。这些一个或多个突起也可以称为一个或多个突节或凸斑。
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