[发明专利]肖特基二极管与MOSFET的集成

权利要求书

1.一种器件，其包括以下部分：

n型衬底(1)，

n型漂移外延层(3)，其在所述n型衬底(1)上，

n型外延再生层(6)，其在所述n型漂移外延层(3)上，

p型栅格层(4)，其包括在所述n型漂移外延层(3)中的栅格，并且与所述n型外延再生层(6)接触，

p型馈电层(5)，其在所述n型漂移外延层(3)中，并且与所述n型外延再生层(6)接触，

所述栅格层(4)与所述p型馈电层(5)连接，

欧姆接触件(7)，其至少部分地被应用在所述p型馈电层(5)上，

p阱区(8a，8b)，

n⁺源极区(9a，9b)，

栅极氧化物(10)，

源极欧姆接触件(11)，

所述欧姆接触件(7)经由金属化层(14)连接至所述源极欧姆接触件(11)，

所述p阱区(8a，8b)被布置为使得其与所述n型外延再生层(6)、所述n⁺源极区(9a，9b)、所述栅极氧化物(10)和所述源极欧姆接触件(11)接触，

所述n⁺源极区(9a，9b)被布置为使得其与所述p阱区(8a，8b)、所述栅极氧化物(10)和所述源极欧姆接触件(11)接触，

栅极接触件(12)，

隔离层(13)，其用于使栅极接触件(12)与金属化层(14)区域隔离，

所述栅极氧化物(10)与所述p阱区(8a，8b)、所述n⁺源极区(9a，9b)、所述栅极接触件(12)和所述隔离层(13)接触，

所述栅极氧化物(10)选择性地与所述n型外延再生层(6)和所述源极欧姆接触件(11)接触，

肖特基接触件(15)，

所述金属化层(14)至少部分地被应用在所述器件上并且与所述肖特基接触件(15)接触，而所述肖特基接触件(15)与所述n型外延再生层(6)接触，

漏极欧姆接触件和金属化件(17)。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述器件包括在所述n型衬底(1)与所述n型漂移外延层(3)之间的n⁺型外延缓冲层(2)。

3.根据权利要求1-2中的任一项所述的器件，其中，所述器件包括JFET区域(16)，所述JFET区域(16)与所述n型外延再生层(6)、所述p阱区(8a，8b)和栅极氧化物(10)接触。

4.根据权利要求1-3中的任一项所述的器件，其中，所述p阱区包括注入层(8a)。

5.根据权利要求1-3中的任一项所述的器件，其中，所述p阱区包括外延层(8b)。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的器件，其中，所述n⁺源极区包括注入层(9a)。

7.根据权利要求1、2、3和5中的任一项所述的器件，其中，所述n⁺源极区包括外延层(9b)。

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的器件，其中，所述栅极接触件(12)包括多晶硅。

9.根据权利要求1至8中的任一项所述的器件，其中，所述肖特基接触件(15)包括金属。

10.根据权利要求1至8中的任一项所述的器件，其中，所述肖特基接触件(15)包括多晶硅。

11.根据权利要求1至10中的任一项所述的器件，其中，所述p型栅格层(4)包括多个栅格，其中，至少一部分栅格具有位于栅格之下居中的凸缘，所述凸缘定位为朝向所述n型衬底(1)，所述凸缘的横向尺寸小于所述栅格。