[发明专利]用于在N掺杂的SIC层中制造P掺杂栅格的方法

权利要求书

1.一种用于在SiC半导体材料中制造栅格结构的方法，所述方法包括以下步骤：

a)提供包括掺杂半导体SiC材料的衬底，所述衬底包括第一层(n1)，

b)通过外延生长在所述第一层(n1)上形成分离的第二区域(p2)，所述外延生长添加至少一种掺杂半导体SiC材料，必要时，借助于去除一部分添加的半导体材料，在所述第一层(n1)上形成分离的第二区域(p2)，

c)在由紧接着步骤a)之后和紧接着步骤b)之后构成的组中选择的阶段中，进行离子注入至少一次；在所述第一层(n1)中注入离子，以形成第一区域(p1)，其中，整个所述第二区域(p2)与第一区域(p1)接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括在步骤c)之后的一个步骤，所述步骤包括在所述第二区域(p2)和所述第一层(n1)上生长第二层(n2)的外延生长。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括紧接着步骤a)之后的一个步骤，所述步骤包括在所述第一层(n1)上生长第二层(n2)的外延生长，随后在某些区域上刻蚀穿透整个第二层(n2)，并且其中，随后的步骤b)在刻蚀的区域的底部上形成所述分离的第二区域(p2)。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，一部分所述第一区域(p1)具有在顶部的第二区域(p2)。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，整个第一区域(p1)具有在顶部的第二区域(p2)。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中，所述第二区域(p2)的与所述第一区域(p1)接触的下表面比所述第一区域(p1)的上表面小。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中，步骤b)中的所述外延生长添加了厚度在0.1-3.0μm之间的层。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中，步骤b)中的所述外延生长使用Al作为掺杂剂。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中，步骤b)中的所述外延生长添加了掺杂浓度在5e19-3e20 cm^-3之间的至少一个层。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的方法，其中，在步骤b)中添加的至少一个层具有一个掺杂梯度，所述掺杂梯度在距所述第一区域(p1)最远处的掺杂浓度较高。

11.根据权利要求1-10中任一项所述的方法，其中，通过干法刻蚀执行步骤b)中的所述去除(如果有的话)。

12.根据权利要求1-11中任一项所述的方法，其中，仅在步骤b)之前执行所述离子注入。

13.根据权利要求1-12中任一项所述的方法，其中，仅在步骤b)之前执行步骤c)中的所述离子注入，并且其中，步骤b)中的外延生长与在所述第一区域(p1)中注入的离子的退火同时进行。

14.根据权利要求1-13中任一项所述的方法，其中，用小于350keV的能量执行所述离子注入。

15.根据权利要求1-14中任一项所述的方法，其中，所述第一区域(p1)的厚度在0.2-2.0μm之间。

16.根据权利要求1-15中任一项所述的方法，其中，所述第一区域(p1)的掺杂浓度在1e18-1e19 cm^-3之间。

17.根据权利要求1-16中任一项所述的方法，其中，所述第一区域(p1)具有一个掺杂梯度，所述掺杂梯度朝向所述第二区域(p2)的掺杂浓度较高。