[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，包含：

自然氧化膜去除工序，通过去除在已设置于基板的凹部的侧面所露出的第14族元素的自然氧化膜来使所述第14族元素的薄膜在所述凹部的侧面露出；

异丙醇供给工序，在所述第14族元素的自然氧化膜被去除之后，使液状的异丙醇接触于所述第14族元素的薄膜；以及

氨水供给工序，在所述异丙醇接触到所述第14族元素的薄膜之后，通过对所述基板供给氨水来蚀刻所述第14族元素的薄膜。

2.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述异丙醇供给工序包含：液膜保持工序，一边以比第二转速更小的第一转速使所述基板绕着与所述基板的中央部正交的旋转轴线旋转，一边将所述异丙醇的液膜保持于所述基板的表面全区；

所述氨水供给工序包含：

氨水吐出开始工序，一边使所述基板的转速从所述第一转速向所述第二转速上升，一边开始要被供给至所述基板的所述氨水的吐出；以及

氨水吐出继续工序，在所述氨水吐出开始工序之后，一边将所述基板的转速维持在所述第二转速，一边继续所述氨水的吐出。

3.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，

进行多次包含所述异丙醇供给工序及所述氨水供给工序的一个周期。

4.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述氨水供给工序包含加速工序及流量增加工序中的至少一个工序，所述加速工序在所述基板的表面全区由所述氨水的液膜所覆盖的状态下使所述基板的转速上升，所述流量增加工序在所述基板的表面全区由所述氨水的液膜所覆盖的状态下使朝向所述基板的表面所吐出的所述氨水的流量增加。

5.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述氨水供给工序包含：过程执行工序，进行一次以上包含第一加速工序、第一减速工序及第二加速工序的一个过程；

所述第一加速工序在所述氨水的液膜位于所述基板的表面的状态下使所述基板的转速上升；

所述第一减速工序在所述第一加速工序之后，在所述氨水的液膜位于所述基板的表面的状态下使所述基板的转速降低；

所述第二加速工序在所述第一减速工序之后，在所述氨水的液膜位于所述基板的表面的状态下使所述基板的转速上升。

6.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，

所述氨水供给工序包含：过程执行工序，进行一次以上包含第一流量增加工序、第一流量减少工序及第二流量增加工序的一个过程；

所述第一流量增加工序在所述氨水的液膜位于所述基板的表面的状态下使朝向所述基板的表面所吐出的所述氨水的流量增加；

所述第一流量减少工序在所述第一流量增加工序之后，在所述氨水的液膜位于所述基板的表面的状态下使朝向所述基板的表面所吐出的所述氨水的流量减少；

所述第二流量增加工序在所述第一流量减少工序之后，在所述氨水的液膜位于所述基板的表面的状态下使朝向所述基板的表面所吐出的所述氨水的流量增加。

7.如权利要求1至6中任一项所述的基板处理方法，其中，

进一步包含：密闭工序，在进行所述异丙醇供给工序及所述氨水供给工序中的至少一方时，一边在所述基板的表面已朝向上方的状态下将所述基板保持于水平一边使具有所述基板的直径以上的外径的对向面对向于所述基板的表面，且使包围所述基板的筒状的防护罩的上端位于与所述对向面相等的高度或比所述对向面更上方的高度。

8.如权利要求1至7中任一项所述的基板处理方法，其中，

所述第14族元素的薄膜从所述凹部的入口朝向所述凹部的底面延伸。

9.如权利要求1至8中任一项所述的基板处理方法，其中，

所述凹部的侧面包含：一对对向部，在与所述凹部的深度方向正交的宽度方向对向；

在所述凹部的深度方向上的所述第14族元素的薄膜的长度比在所述凹部的宽度方向上的所述一对对向部的间隔更长。