[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置

说明书

通过去除在已设置于基板(W)的凹部(83)的侧面所露出的多晶硅的自然氧化膜来使多晶硅的薄膜(84)在凹部(83)的侧面(83s)露出。在多晶硅的自然氧化膜被去除之后，使液状的IPA接触于多晶硅的薄膜(84)。在IPA接触到多晶硅的薄膜(84)之后，通过对基板W供给稀释氨水来蚀刻多晶硅的薄膜(84)。

技术领域

本发明涉及一种用以处理基板的基板处理方法以及基板处理装置。在处理对象的基板中，例如包含有半导体晶片(wafer)、液晶显示设备用基板、光盘用基板、磁盘用基板、磁光盘用基板、光掩模(photomask)用基板、陶瓷(ceramic)基板、太阳能电池用基板、有机EL(electroluminescence；电致发光)显示设备等的FPD(Flat Panel Display；平板显示器)用基板等。

背景技术

在专利文献1中已揭示一种使混合溶液接触于对象物的技术，该混合溶液包含氨水(ammonia water)和过氧化氢水，该对象物具备具有导孔(via hole)等的孔(hole)部的处理对象面。该专利文献1记载着：在使混合溶液接触于对象物之后，已加压过的蒸气或水的至少一个被应用于处理对象面。由此，可去除残留于孔部的侧壁或底部的反应副生成物或残渣物等的无用物质。

[现有技术文献]

[专利文献]

专利文献1：日本特开2006-186081号公报。

发明内容

(发明所欲解决的课题)

专利文献1所记载的处理方法及处理装置，在混合溶液中不仅包含有氨水，还包含有过氧化氢水。当混合溶液中所包含的过氧化氢与孔部内的无用物质反应时，就会从过氧化氢产生大量的气体，且多数的气泡会形成于孔部内。在孔部内所产生的气泡流动至孔部的入口，换句话说流动至孔部的开口部。因此，有的情况孔部的入口会由气泡所堵塞。

当多数的气泡在孔部的入口时，混合溶液就很难到达孔部的最下面。再者，即便混合溶液到达了孔部的最下面，位于孔部的最下面的混合溶液仍难以置换成新的混合溶液。因此，有的情况会在孔部的最下面残留无用物质。特别是在孔部的侧壁或底部为疏水性的情况下，由于混合溶液不易均一地供给至孔部的侧壁等，所以有增加无用物质的残留量的倾向。

于是，本发明的目的之一在于提供一种可以有效地蚀刻(etching)设置于基板的凹部内的无用物质且可以减少残留于凹部内的无用物质的基板处理方法以及基板处理装置。

(用于解决课题的手段)

本发明的一实施方式提供一種基板处理方法，包含：自然氧化膜去除工序，通过去除在已设置于基板的凹部的侧面所露出的第14族元素的自然氧化膜来使所述第14族元素的薄膜在所述凹部的侧面露出；IPA(isopropyl alcohol；异丙醇)供给工序，在所述第14族元素的自然氧化膜被去除之后，使液状的IPA接触于所述第14族元素的薄膜；以及氨水供给工序，在所述IPA接触到所述第14族元素的薄膜之后，通过对所述基板供给氨水来蚀刻所述第14族元素的薄膜。

依据该方法，硅(silicon)或锗(germanium)等的第14族元素的自然氧化膜会在已设置于基板的凹部的侧面露出。当去除该自然氧化膜时，第14族元素的薄膜就会在凹部的侧面露出。第14族元素的薄膜的表面是并未由第14族元素的自然氧化膜所覆盖的疏水面。然而，由于在IPA中包含有异丙基(isopropyl group)，所以当将IPA供给至基板时，IPA就会扩及于第14族元素的薄膜。