[发明专利]用于等离子体处理设备的冷却聚焦环

权利要求书

1.一种用于等离子体处理设备的基座组件，所述等离子体处理设备用于处理衬底，所述基座组件包括：

基板；

圆盘，配置成支撑所述衬底；

聚焦环，相对于所述圆盘布置，使得当所述衬底定位在所述圆盘上时，所述聚焦环的至少一部分至少部分地围绕所述衬底的周边；

导热构件，与所述圆盘间隔开，所述导热构件与所述聚焦环和所述基板热连通；以及

内绝缘 环，至少部分地围绕所述导热构件和所述基板；

其中，所述圆盘和所述聚焦环之间限定有间隙，以及

其中，所述导热构件和所述内绝缘环彼此间隔开，使得在它们之间沿径向方向限定间隙，并且在所述导热构件与所述内绝缘环之间限定的间隙的厚度等于在所述基板与所述内绝缘环之间限定的间隙的厚度。

2.根据权利要求1所述的基座组件，其中，所述聚焦环包括突起，所述突起至少部分地与所述圆盘重叠地延伸。

3.根据权利要求2所述的基座组件，其中，当将所述衬底支撑在所述圆盘上时，所述聚焦环的所述突起设置在所述衬底的至少一部分与所述圆盘的至少一部分之间。

4.根据权利要求2所述的基座组件，其中，所述突起与所述聚焦环的主体一体形成。

5.根据权利要求1所述的基座组件，其中，所述基座组件还包括第一导热垫和第二导热垫，所述第一导热垫与所述聚焦环和所述导热构件接触，所述第二导热垫与所述导热构件和所述基板接触。

6.根据权利要求5所述的基座组件，其中，所述第一导热垫和所述第二导热垫包括弹性材料。

7.根据权利要求6所述的基座组件，其中，所述第一导热垫和所述第二导热垫包括胶带。

8.根据权利要求5所述的基座组件，其中，所述第一导热垫的导热率不同于所述第二导热垫的导热率。

9.根据权利要求5所述的基座组件，其中，所述导热构件的导热率不同于所述第一导热垫的导热率或者所述第二导热垫的导热率。

10.根据权利要求1所述的基座组件，其中，所述基板限定一个或多个通道，流体流过所述一个或多个通道以调节所述基板的温度。

11.根据权利要求1所述的基座组件，其中，所述导热构件是由铝构成的环。

12.根据权利要求5所述的基座组件，其中，所述基板是台阶状的，使得所述基板包括在第二部分上方竖直延伸的第一部分。

13.根据权利要求12所述的基座组件，其中，所述圆盘设置在所述基板的所述第一部分的上方。

14.根据权利要求13所述的基座组件，其中，所述第二导热垫与所述基板的所述第二部分接触。

15.根据权利要求5所述的基座组件，其中，所述基座组件包括紧固件，所述紧固件配置成提供压缩连接，所述压缩连接使所述第二导热垫压缩在所述导热构件与所述基板之间。