[发明专利]用于等离子体处理设备的冷却聚焦环

说明书

一种在用于处理衬底的等离子体处理设备中使用的基座组件，所述基座组件包括基板。基座组件还可以包括配置成支撑衬底的圆盘。基座组件还可以包括相对于圆盘布置的聚焦环，使得当基板定位在圆盘上时，聚焦环的至少一部分至少部分地围绕衬底的周边。另外，聚焦环可以与圆盘间隔开，从而在其间限定间隙。基座组件还可以包括与圆盘间隔开的导热构件。导热构件可以与由内绝缘环围绕的聚焦环热连通，并且配置成与聚焦环和基板热连通。

优先权声明

本申请要求享有于2017年9月18日提交的名称为“用于等离子体处理设备的冷却聚焦环”的第62/559,778号美国临时专利申请的优先权，该申请通过引用并入本文以用于所有目的。

技术领域

本公开总体上涉及在比如用于处理衬底(诸如半导体衬底)的处理设备中使用的聚焦环。

背景技术

等离子体处理工具可以用于诸如集成电路、微机械装置、平板显示器和其他装置的制造中。用于现代等离子体蚀刻应用的等离子体处理工具可能需要提供高等离子体均匀性和多个等离子体控制，包括独立的等离子体轮廓、等离子体密度和离子能量控制。在某些情况下，等离子体处理工具可能需要在各种处理气体和各种不同条件(例如气流、气体压力等)下维持稳定的等离子体。

基座组件可以用于支撑在等离子体处理设备和其他处理工具(例如，热处理工具)中的衬底。基座组件可以包括围绕基座基板的绝缘环。聚焦环可以与在等离子体处理工具中的基座组件结合使用。在基板(例如半导体晶圆)的处理期间，聚焦环可能处于难以除热的环境(例如真空)中。在这种情况下，在基板的处理期间冷却聚焦环是非常困难的。然而，聚焦环的冷却不充分可能不利地影响聚焦环的寿命，这通常是不期望的。

发明内容

本公开的各方面和优点将部分地在以下描述中阐述，或者可以从描述中显而易见，或者可以通过实践本发明来学习。

本公开的一个示例性方面涉及一种在用于处理衬底的等离子体处理设备中使用的基座组件。基座组件可以包括基板和配置成支撑衬底的圆盘。另外，基座组件可以包括相对于圆盘布置的聚焦环，使得当基板定位在圆盘上时，聚焦环的至少一部分至少部分地围绕衬底的周边。聚焦环也可以与圆盘间隔开，从而在其间形成间隙。另外，基座组件还可以包括与圆盘间隔开的导热构件。导热构件可以与聚焦环和基板热连通。

本公开的其他方面涉及用于冷却聚焦环的系统、方法、设备和装置，该聚焦环在用于衬底(诸如半导体衬底之类)的处理工具中使用。

参考以下描述和所附权利要求，将更好地理解本发明的这些和其他特征、方面和优点。包含在本说明书中并且构成其一部分的附图示出了本发明的实施例，并且与说明书一起用于解释本发明的原理。

附图说明

在说明书的剩余部分中，包括参考附图，更具体地阐述了对本领域普通技术人员而言完整且可行的公开，在附图中：

图1描绘了根据本公开的示例性实施例的示例性等离子体处理设备；

图2提供了在图1中所描绘的示例性基座组件的一部分的剖视图；

图3提供了根据本公开的示例性实施例的基板的剖视图；

图4提供了根据本公开的示例性实施例的聚焦环的剖视图；

图5提供了根据本公开的示例性实施例的基座组件的一部分的放大视图；

图6提供了根据本公开的示例性实施例的基座组件的一部分的放大视图；以及

图7提供了根据本公开的示例性实施例的示例性基座组件的一部分的剖视图。

具体实施方式