[发明专利]pH、氧化还原电位调节水的制造装置

权利要求书

1.一种pH、氧化还原电位调节水的制造装置，其是在超纯水中添加pH调节剂和氧化还原电位调节剂来制造具有预期的pH及氧化还原电位的调节水的pH、氧化还原电位调节水的制造装置，其中，

超纯水供给线依次设置有过氧化氢去除机构和pH调节剂注入装置，

在所述pH调节剂注入装置的后段具备pH测量机构及氧化还原电位测量机构，

所述pH、氧化还原电位调节水的制造装置具有控制机构，该控制机构根据所述pH测量机构及所述氧化还原电位测量机构的测定值来控制所述pH调节剂注入装置中的pH调节剂的添加量。

2.如权利要求1所述的pH、氧化还原电位调节水的制造装置，其中，

在所述过氧化氢去除机构的后段且所述pH调节剂注入装置的前段或后段具有氧化还原电位调节剂注入装置，所述控制机构能根据所述pH测量机构及所述氧化还原电位测量机构的测定值来控制所述氧化还原电位调节剂注入装置中的氧化还原电位调节剂的添加量。

3.如权利要求1或2所述的pH、氧化还原电位调节水的制造装置，其中，

所述pH调节剂是从盐酸、硝酸、醋酸及CO₂中选出的一种或两种以上。

4.如权利要求2或3所述的pH、氧化还原电位调节水的制造装置，其中，

所述氧化还原电位调节剂是从草酸、硫化氢、碘化钾、氢气中选出的一种或两种以上。

5.如权利要求1～4中任一项所述的pH、氧化还原电位调节水的制造装置，其中，

所述pH调节剂为液体，所述pH调节剂注入装置为泵或使用了密闭罐和非活性气体的加压机构。

6.如权利要求2～5中任一项所述的pH、氧化还原电位调节水的制造装置，其中，

所述氧化还原电位调节剂为液体，所述氧化还原电位调节剂注入装置为泵或使用了密闭罐和非活性气体的加压机构。

7.如权利要求1～6中任一项所述的pH、氧化还原电位调节水的制造装置，其中，

所述pH调节剂为气体，所述pH调节剂注入装置为气体透过性膜组件或气液直接接触装置。

8.如权利要求2～7中任一项所述的pH、氧化还原电位调节水的制造装置，其中，

所述氧化还原电位调节剂为气体，所述氧化还原电位调节剂注入装置为气体透过性膜组件或气液直接接触装置。

9.如权利要求1～8中任一项所述的pH、氧化还原电位调节水的制造装置，其中，

在所述pH调节剂注入装置的后段设有溶解氧去除装置。

10.如权利要求1～9中任一项所述的pH、氧化还原电位调节水的制造装置，其中，

其制造pH为0～5且氧化还原电位为0～1.0V的pH、氧化还原电位调节水。

11.如权利要求1～10中任一项所述的pH、氧化还原电位调节水的制造装置，其中，

所述pH、氧化还原电位调节水用于洗涤至少一部分有过渡金属暴露的半导体材料。

12.如权利要求11所述的pH、氧化还原电位调节水的制造装置，其中，

所述过渡金属为铬族元素。