[发明专利]pH、氧化还原电位调节水的制造装置

说明书

pH及氧化还原电位调节水的制造装置(1)在超纯水(W)的供给线(2)设置有铂族金属负载树脂柱(3)，在其后段配备了pH调节剂注入装置(4A)和根据需要而设的氧化还原电位调节剂注入装置(4B)。在该装置(4A)、(4B)的后段，膜式脱气装置(6)连通着排出线(9)。在该排出线(9)的中途设有pH计(10A)和ORP计(10B)，上述pH计(10A)及ORP计(10B)连接着控制装置(11)。然后，根据pH计(10A)及ORP计(10B)的测量结果，控制pH调节剂注入装置4A和氧化还原电位调节剂注入装置(4B)的注入量。根据所述pH及氧化还原电位调节水的制造装置，能通过准确地调节pH及氧化还原电位从而使有钨等铬族元素暴露的半导体晶片的带电、腐蚀溶解的程度最小化。

技术领域

本发明涉及在电子工业领域等中使用的pH、氧化还原电位调节水的制造装置，特别涉及能使有钨等铬族元素暴露的半导体晶片的带电、腐蚀溶解的程度最小化的pH、氧化还原电位调节水的制造装置。

背景技术

在LSI等的电子部件的制造工序中，会反复进行对具有微细结构的被处理体进行处理的工序。另外，进行以去除晶片、基板等处理体表面附着的微粒、有机物、金属、自然氧化皮膜等为目的的洗涤，达到并维持高度的清洁度，这对保持产品的品质、提高成品率很重要。众所周知，对于在该洗涤后的漂洗工序中使用的超纯水而言，其纯度越高则比电阻值越高，但是存在的问题是：由于使用比电阻值高的超纯水，所以洗涤时容易产生静电，会招致绝缘膜的静电击穿、微粒的再附着。因此，近年来，通过将在超纯水中溶解了碳酸气体、氨等而成的稀药液作为漂洗水进行pH调节，降低静电来努力解决上述问题。

发明内容

发明要解决的课题

然而，存在的问题是：由于超纯水中微量地含有在其制造过程中生成的过氧化氢，所以在对晶片表面的一部分面或整个面有过渡金属特别是钨、钼等铬族元素暴露的晶片进行洗涤的情况下，会发生暴露出来的铬族元素的腐蚀溶解从而使半导体性能下降。另外，将在超纯水中溶解了碳酸气体、氨而成的稀药液作为漂洗水时，也难以解决以下问题：在对上述有铬族元素暴露的晶片进行洗涤的情况下，暴露出来的铬族元素被腐蚀。

因此，本发明人对在晶片等洗涤中因漂洗水而导致暴露出来的过渡金属发生腐蚀的主要原因进行了探讨，结果知道了不仅漂洗水的pH而且氧化还原电位也很大程度地影响过渡金属的腐蚀。因此，对于有钨、钼等铬族元素的过渡金属暴露的晶片的洗涤水，希望能根据作为其洗涤对象的过渡金属准确地调节pH和氧化还原电位，但是，一直以来却没有能准确地调节两者的稀释药液的制造装置。

本发明是鉴于上述课题而完成的，目的是提供一种能准确地调节pH及氧化还原电位且能使有钨等铬族元素暴露的半导体晶片的带电、腐蚀溶解程度最小化的高纯度的pH、氧化还原电位调节水的制造装置。

解决课题的技术方案

鉴于上述目的，本发明提供一种pH、氧化还原电位调节水的制造装置，其是在超纯水中添加pH调节剂和氧化还原电位调节剂来制造有预期的pH及氧化还原电位的调节水的pH、氧化还原电位调节水的制造装置，其中，超纯水供给线依次设置有过氧化氢去除机构和pH调节剂注入装置，所述pH调节剂注入装置的后段具备pH测量机构及氧化还原电位测量机构，所述pH、氧化还原电位调节水的制造装置具有控制机构，所述控制机构根据所述pH测量机构及所述氧化还原电位测量机构的测定值来控制所述pH调节剂注入装置中的pH调节剂的添加量(发明1)。

根据上述发明(发明1)，通过从超纯水供给线将超纯水通入过氧化氢去除机构，从而通过去除超纯水中微量含有的过氧化氢来使氧化还原电位下降，接着，以成为预期的pH的方式添加pH调节剂来制备pH、氧化还原电位调节水后，基于pH测量机构及氧化还原电位测量机构的测定结果，通过控制机构控制pH调节剂的添加量，以使pH及氧化还原电位不会对钨、钼等铬族元素的过渡金属产生腐蚀，从而能够消除原水中的溶解过氧化氢的影响，制造有预期的pH及氧化还原电位的调节水。