[发明专利]位置检测传感器有效
申请号: | 201880060440.2 | 申请日: | 2018-08-21 |
公开(公告)号: | CN111094913B | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 宅见宗则;丰田晴义;松井克宜;铃木一隆;中村和浩;内田圭祐 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | G01J1/02 | 分类号: | G01J1/02;G01J1/44;G01B11/24;H01L27/144;H01L27/146;H01L31/0232;H01L31/10 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 位置 检测 传感器 | ||
1.一种位置检测传感器,其特征在于,
所述位置检测传感器检测光的入射位置,并且具备:
第1像素对组,其具有沿第1方向排列的多个第1像素对,所述多个第1像素对分别包含第1像素部和第2像素部,其中,所述第1像素部生成与所述光的入射光量对应的第1电信号,所述第2像素部在所述第1方向上与所述第1像素部排列配置且生成与所述光的入射光量对应的第2电信号;
第2像素对组,其具有沿第2方向排列的多个第2像素对并且与所述第1像素对组交叉,所述多个第2像素对分别包含第3像素部和第4像素部,其中,所述第3像素部生成与所述光的入射光量对应的第3电信号,所述第4像素部在与所述第1方向交叉的所述第2方向上与所述第3像素部排列配置且生成与入射的所述光的入射光量对应的第4电信号;和
算出部,其算出作为所述第1方向上的所述入射位置的第1位置和作为所述第2方向上的所述入射位置的第2位置,
所述第1像素对组和所述第2像素对组位于同一面上,
在所述第1像素部所述入射位置越接近所述第1像素对组的所述第2方向上的第1端,所述第1电信号的强度就越减弱,
在所述第2像素部所述入射位置越接近所述第2方向上的所述第1端,所述第2电信号的强度就越增强,
在所述第3像素部所述入射位置越接近所述第2像素对组的所述第1方向上的第2端,所述第3电信号的强度就越减弱,
在所述第4像素部所述入射位置越接近所述第1方向上的所述第2端,所述第4电信号的强度就越增强,
所述算出部基于所述第1电信号的强度的累计值和所述第2电信号的强度的累计值算出所述第2位置,基于所述第3电信号的强度的累计值和所述第4电信号的强度的累计值算出所述第1位置,
所述第1像素部包含沿所述第2方向排列的多个第1像素,
所述第2像素部包含沿所述第2方向排列的多个第2像素,
所述第3像素部包含沿所述第1方向排列的多个第3像素,
所述第4像素部包含沿所述第1方向排列的多个第4像素,
所述第1像素越接近所述第2方向上的所述第1端,该第1像素的所述第1方向的宽度就越小,
所述第2像素越接近所述第2方向上的所述第1端,该第2像素的所述第1方向的宽度就越大,
所述第3像素越接近所述第1方向上的所述第2端,该第3像素的所述第2方向的宽度就越小,
所述第4像素越接近所述第1方向上的所述第2端,该第4像素的所述第2方向的宽度就越大。
2.一种位置检测传感器,其特征在于,
所述位置检测传感器检测光的入射位置,并且具备:
第1像素组,其具有沿第1方向排列且生成与所述光的入射光量对应的第1电信号的多个第1像素部;
第2像素组,其具有沿与所述第1方向交叉的第2方向排列且生成与所述光的入射光量对应的第2电信号的多个第2像素部,并且与所述第1像素组交叉;和
算出部,其算出作为所述第1方向上的所述入射位置的第1位置和作为所述第2方向上的所述入射位置的第2位置,
在所述第1像素部所述入射位置越接近所述第1像素组的所述第2方向上的第1端,所述第1电信号的强度就越减弱,
在所述第2像素部所述入射位置越接近所述第2像素组的所述第1方向上的第2端,所述第2电信号的强度就越减弱,
基于所述第1电信号的强度的累计值算出所述第2位置,基于所述第2电信号的强度的累计值算出所述第1位置。
3.如权利要求2所述的位置检测传感器,其特征在于,
所述第1像素组和所述第2像素组位于同一面上。
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