[发明专利]位置检测传感器

说明书

在位置检测传感器中，在第1像素部入射位置越接近第1像素对组的第2方向上的第1端，第1电信号的强度就越减弱，在第2像素部入射位置越接近第2方向上的第1端，第2电信号的强度就越增强，在第3像素部入射位置越接近第2像素对组的第1方向上的第2端，第3电信号的强度就越减弱，在第4像素部入射位置越接近第1方向上的第2端，第4电信号的强度就越增强。算出部基于第1电信号的强度的累计值和第2电信号的强度的累计值算出第2位置，基于第3电信号的强度的累计值和第4电信号的强度的累计值，算出第1位置。

技术领域

本发明涉及一种位置检测传感器。

背景技术

在专利文献1中记载有一种检测入射的光的光半导体集成电路。在该光半导体集成电路中，光检测用的光元件配置在排列于某个中心点周围的4个区域。该光半导体集成电路通过对来自这些光元件的输出进行比较，检测光射入的二维位置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平10-27895号公报

专利文献2：日本特开平3-34369号公报

发明内容

发明所要解决的问题

例如作为在光控制的领域中用于检测光点入射的二维位置的位置检测传感器，例如能够列举轮廓传感器或者使用了4分割光电二极管的位置检测传感器(以下，简称为4分割光电二极管)。在轮廓传感器中，根据从二维配置的像素中各行相互接线的像素输出的电信号，取得列方向的投影图像，根据从各列相互接线的像素输出的电信号，取得行方向的投影图像。而且，轮廓传感器使用这些的投影图像检测光点入射的二维位置。但是，在这样的轮廓传感器中，为了得到那些投影图像，要读取大量的电信号，因此，与仅读取4个电信号的4分割光电二极管相比较，有在输出的电信号的读取上花费时间的趋势。因此，轮廓传感器难以比4分割光电二极管更快速地检测光点入射的二维位置。

与此相对，在4分割光电二极管中，通过分别从配置在以原点为中心的第1象限～第4象限的4个像素读取4个电信号，并取得这些电信号的比来检测光点入射的二维位置。在这样的4分割光电二极管中，与轮廓传感器相比较，读取的电信号的数量少，因此，能够抑制电信号的读取所需要的时间。由此，能够快速地检测光点入射的二维位置。但是，在这样的4分割光电二极管中，为了算出二维位置，需要使用分别从4个像素输出的4个电信号的比。因此，在4分割光电二极管中，像素数被限定为4个，并且要求光点入射到全部该4个像素。在向这样的4分割光电二极管入射的光点直径的大小较小时，有时不射入4个像素的任一个像素，因此，有可能不能利用电荷信号的比算出二维位置。进一步，在光点入射到远离4分割光电二极管的中心的位置的情况下，各电信号的强度差的线性受损，因此，难以高精度地检测其二维位置。所以，原则上能够进行位置检测的点光的移动范围限于点光的直径左右，通常能够高精度地进行位置检测的范围为点光的半径左右。

本发明的目的在于提供一种即使在入射的光点直径较小的情况下也能够高精度且快速地检测光入射的二维位置的位置检测传感器。

用于解决问题的技术方案