[发明专利]半导体装置制造用粘接膜以及半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置制造用粘接膜，其具备：

宽度为100mm以下的带状的载体膜；和

在所述载体膜上按照在所述载体膜的长度方向上排列的方式配置的多个粘接剂片，

其中，所述粘接剂片具有在长方形或正方形的至少一边形成有凸部及凹部中的至少一个的形状。

2.根据权利要求1所述的粘接膜，其中，所述粘接剂片具有6个以上的角。

3.根据权利要求2所述的粘接膜，其中，所述粘接剂片的形状为L字型。

4.根据权利要求1所述的粘接膜，其中，所述粘接剂片具有8个以上的角。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的粘接膜，其中，所述粘接剂片的面积为10～200mm²。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的粘接膜，其中，所述载体膜的表面的被所述多个粘接剂片覆盖的区域的比例以所述载体膜的面积为基准计为10～60％。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的粘接膜，其中，在所述载体膜上形成有1个或多个由所述多个粘接剂片构成的列。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的粘接膜，其中，所述粘接剂片是通过对按照将所述载体膜的表面覆盖的方式形成的粘接剂层进行模切而形成的。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的粘接膜，其中，所述载体膜与所述粘接剂片之间的密合力为0.5～18N/m。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的粘接膜，其进一步具备保护构件，该保护构件将所述粘接剂片的与所述载体膜一侧的第一面相反侧的第二面覆盖，且具有与所述粘接剂片相同的形状。

11.根据权利要求10所述的粘接膜，其中，所述粘接剂片及所述保护构件是通过对按照将所述载体膜的表面覆盖的方式形成的粘接剂层和按照将所述粘接剂层覆盖的方式配置的保护膜进行模切而形成的。

12.根据权利要求10或11所述的粘接膜，其中，所述保护构件的透光率比所述载体膜的透光率低。

13.根据权利要求10～12中任一项所述的粘接膜，其中，所述粘接剂片与所述保护构件之间的密合力为16N/m以下。

14.一种半导体装置，其具备：

基板；

半导体芯片；以及

权利要求1～13中任一项所述的粘接膜的所述粘接剂片，

其中，所述粘接剂片配置于所述基板与所述半导体芯片之间，将所述基板与所述半导体芯片粘接，

所述半导体芯片的形状与所述粘接剂片的形状不同。

15.一种半导体装置的制造方法，其使用权利要求1～13中任一项所述的粘接膜的所述粘接剂片。

16.根据权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其包含以下工序：

准备依次层叠有基板、所述粘接剂片和半导体芯片的层叠体的工序；和

通过对所述层叠体进行加热、从而利用所述粘接剂片将所述基板与所述半导体芯片粘接的工序，

其中，所述半导体芯片的形状与所述粘接剂片的形状不同。

17.根据权利要求16所述的半导体装置的制造方法，其中，通过将所述层叠体加热至160℃以下的温度，从而利用所述粘接剂片将所述半导体芯片粘接在所述基板上。