[发明专利]制造具有擦除栅极的分裂栅极闪存存储器单元的方法

权利要求书

1.一种形成存储器设备的方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底具有存储区域、第一外围区域和第二外围区域；

在所述存储区域、第一外围区域和第二外围区域中的所述衬底的表面上形成第一绝缘层；

在所述存储区域、第一外围区域和第二外围区域中的所述第一绝缘层上形成第一多晶硅层；

从所述第一外围区域和第二外围区域移除所述第一多晶硅层，并且从所述存储区域移除所述第一多晶硅层的多个部分，从而在所述存储区域留下所述第一多晶硅层的第一多晶硅块，其中所述第一多晶硅块具有彼此相对的第一端部和第二端部；

移除所述第一绝缘层的不是设置在所述第一多晶硅块下方的多个部分；

邻接所述存储区域中所述第一多晶硅块的所述第一端部在所述衬底中形成源极区；

在所述第二外围区域中的所述衬底的所述表面上形成第二绝缘层；

形成包裹所述第一多晶硅块的所述第一端部处的上边缘的第三绝缘层；

在所述存储区域中所述源极区上方的所述衬底的所述表面上形成第四绝缘层；

邻接所述第一多晶硅块的所述第二端部在所述存储区域中的所述衬底的所述表面上以及在所述第一外围区域中的所述衬底的所述表面上形成第五绝缘层；

在所述存储区域、第一外围区域和第二外围区域中的所述第二绝缘层、所述第三绝缘层、所述第四绝缘层和所述第五绝缘层上形成第二多晶硅层；

移除所述第二多晶硅层的多个部分，从而在所述第四绝缘层上和所述源极区上方留下所述第二多晶硅层的第二多晶硅块，横向邻接所述第一多晶硅块的所述第二端部在所述存储区域中的所述第五绝缘层上留下所述第二多晶硅层的第三多晶硅块，在所述第一外围区域中的所述第五绝缘层上留下所述第二多晶硅层的第四多晶硅块，以及在所述第二外围区域中的所述第二绝缘层上留下所述第二多晶硅层的第五多晶硅块；

邻接所述存储区域中所述第三多晶硅块在所述衬底中形成漏极区；

邻接所述第四多晶硅块的第一侧在所述衬底中形成第二源极区；

邻接所述第四多晶硅块的第二侧在所述衬底中形成第二漏极区，所述第二侧与所述第四多晶硅块的所述第一侧相对；

邻接所述第五多晶硅块的第一侧在所述衬底中形成第三源极区；

邻接所述第五多晶硅块的第二侧在所述衬底中形成第二漏极区，所述第二侧与所述第五多晶硅块的所述第一侧相对。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

移除所述第一多晶硅块的上表面的一部分，使得所述上表面倾斜并且终止于所述第一多晶硅块的所述第一端部处的锐边。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第二多晶硅块包括包裹所述锐边的凹口。

4.根据权利要求1所述的方法，其中使用单次多晶硅蚀刻来执行所述第二多晶硅层的所述多个部分的所述移除，从而留下所述第二多晶硅块、所述第三多晶硅块、所述第四多晶硅块和所述第五多晶硅块。

5.根据权利要求1所述的方法，其中使用单次多晶硅蚀刻来执行所述第一多晶硅层从所述第一外围区域和第二外围区域的所述移除，以及所述第一多晶硅层的所述多个部分从所述存储区域的所述移除，从而在所述存储区域中留下所述第一多晶硅层的所述第一多晶硅块。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第一多晶硅块的所述第一端部和所述第二端部上形成绝缘材料间隔部；以及

在形成所述第三绝缘层之前，移除所述第一多晶硅块的所述第一端部上的所述绝缘材料间隔部。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第五绝缘层的厚度小于所述第三绝缘层的厚度。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第五绝缘层的厚度小于所述第二绝缘层的厚度。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第二多晶硅块、所述第三多晶硅块、所述第四多晶硅块和所述第五多晶硅块的上表面上形成硅化物。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述漏极区、第一源极区和所述第二源极区以及第一漏极区和所述第二漏极区上方的所述衬底的所述表面的多个部分上形成硅化物。