[发明专利]用于封装有机电子元件的方法

权利要求书

1.一种用于封装有机电子元件的方法，所述有机电子元件包括第一电极层、具有至少发光层的有机层、和第二电极层，所述方法包括以下步骤：在其上形成有有机电子元件的基底上施加无溶剂型墨组合物，并以0.5KHz至150KHz的强度向所施加的墨组合物施加振动，

其中所述墨组合物包含环氧化合物和具有氧杂环丁烷基的化合物。

2.根据权利要求1所述的用于封装有机电子元件的方法，其中所述施加振动的步骤在0.001秒至300秒的范围内进行。

3.根据权利要求1所述的用于封装有机电子元件的方法，其中所述施加墨组合物的步骤在50dpi至1000dpi的范围内进行。

4.根据权利要求1所述的用于封装有机电子元件的方法，其中所施加的墨组合物的厚度为2μm至15μm。

5.根据权利要求1所述的用于封装有机电子元件的方法，其中所述施加墨组合物的步骤包括形成沿一个方向延伸的两个或更多个印刷图案。

6.根据权利要求5所述的用于封装有机电子元件的方法，其中所述印刷图案由两个或更多个墨组合物点形成，并且所述点的间距在10μm至250μm的范围内。

7.根据权利要求5所述的用于封装有机电子元件的方法，其中在所述施加墨组合物的步骤之后并且在所述施加振动的步骤之前，在沿一个方向延伸的所述印刷图案之间存在一个或更多个10μm至250μm的间隔。

8.根据权利要求1所述的用于封装有机电子元件的方法，还包括使所施加的墨组合物固化的步骤。

9.根据权利要求8所述的用于封装有机电子元件的方法，其中所述固化步骤包括用光照射所述墨组合物。

10.根据权利要求1所述的用于封装有机电子元件的方法，还包括向所施加的墨组合物施加热的步骤。

11.根据权利要求10所述的用于封装有机电子元件的方法，其中所述施加热的步骤在所施加的墨组合物的固化之前和/或之后进行。

12.根据权利要求10所述的用于封装有机电子元件的方法，其中所述施加热的步骤在20℃至230℃的范围内进行。

13.根据权利要求10所述的用于封装有机电子元件的方法，其中所述施加热的步骤进行1分钟至40分钟。

14.根据权利要求1所述的用于封装有机电子元件的方法，其中所述墨组合物为可光固化组合物。

15.根据权利要求1所述的用于封装有机电子元件的方法，其中所述墨组合物包含相对于100重量份的所述环氧化合物含量为45重量份至145重量份的所述具有氧杂环丁烷基的化合物。

16.根据权利要求1所述的用于封装有机电子元件的方法，其中所述墨组合物包含基于氟的表面活性剂。

17.一种根据权利要求1所述的方法封装的有机电子装置，其中在其上形成有有机电子元件的基底上在墨组合物以包括沿一个方向延伸的第一图案和沿一个方向延伸并与所述第一图案相邻形成的第二图案的有机层的形式固化的状态下，所述有机电子装置的所述第一图案与所述第二图案之间的凹槽部分的高度h与所述有机层厚度H的比率h/H×100％小于30％。