[发明专利]坩埚支承底座、石英坩埚支承装置及单晶硅的制造方法

权利要求书

1.一种坩埚支承底座，其是构成为能够安装于使用提拉法的单晶提拉装置，且支承由将支承石英坩埚的石墨坩埚纵向分割而得到的多个分割石墨部件构成的石墨坩埚的坩埚支承底座，其特征在于，具备能够嵌合所述多个分割石墨部件的嵌合凹部，

所述嵌合凹部的开口边缘构成为，与所述多个分割石墨部件的接触部设置在比培育单晶硅之后残留在所述石英坩埚的硅熔液的固化物的表面更高的位置，伴随着所述硅熔液固化时的膨胀而作用在所述多个分割石墨部件的力作用在比所述接触部更低的位置。

2.一种坩埚支承底座，其是构成为能够安装于使用提拉法的单晶提拉装置，且支承将支承石英坩埚的石墨坩埚纵向分割而得到的多个分割石墨部件的坩埚支承底座，其特征在于，具备能够嵌合所述多个分割石墨部件的嵌合凹部，

所述嵌合凹部构成为满足以下式（1），其中，

将该嵌合凹部的深度设为A（mm），

将所述多个分割石墨部件中的与所述石墨坩埚的底部中央对应的位置的壁厚设为B（mm），

将所述石英坩埚中的底部中央的壁厚设为C（mm），

将在单晶硅育成后残留在所述石英坩埚的硅熔液的固化物的高度设为D（mm），

A＞B+C+D … （1）。

3.一种坩埚支承底座，其是构成为能够安装于使用提拉法的单晶提拉装置，且支承将支承石英坩埚的石墨坩埚纵向分割而得到的多个分割石墨部件的坩埚支承底座，其特征在于，具备能够嵌合所述多个分割石墨部件的嵌合凹部，

所述嵌合凹部构成为满足以下式（2），其中，

将该嵌合凹部的深度设为A（mm），

将所述多个分割石墨部件中的与所述石墨坩埚的底部中央对应的位置的壁厚设为B（mm），

A＞B+45mm … （2）。

4.一种坩埚支承底座，其是构成为能够安装于使用提拉法的单晶提拉装置，且支承将支承石英坩埚的石墨坩埚纵向分割而得到的多个分割石墨部件的坩埚支承底座，其特征在于，具备能够嵌合所述多个分割石墨部件的嵌合凹部，

所述嵌合凹部构成为满足以下式（3），其中，

将该嵌合凹部的深度设为A（mm），

将所述多个分割石墨部件中的与所述石墨坩埚的底部中央对应的位置的壁厚设为B（mm），

A＞B+62mm … （3）。

5.一种坩埚支承底座，其是构成为能够安装于使用提拉法的单晶提拉装置，且支承将支承石英坩埚的石墨坩埚纵向分割而得到的多个分割石墨部件的坩埚支承底座，其特征在于，具备能够嵌合所述多个分割石墨部件的嵌合凹部，

所述嵌合凹部构成为满足以下式（4），其中，

将该嵌合凹部的深度设为A（mm），

将所述多个分割石墨部件中的与所述石墨坩埚的底部中央对应的位置的壁厚设为B（mm），

A＞B+65mm … （4）。

6.一种坩埚支承底座，其是构成为能够安装于使用提拉法的单晶提拉装置，且支承将支承石英坩埚的石墨坩埚纵向分割而得到的多个分割石墨部件的坩埚支承底座，其特征在于，具备能够嵌合所述多个分割石墨部件的嵌合凹部，

所述嵌合凹部构成为满足以下式（5），其中，

将该嵌合凹部的深度设为A（mm），

将所述多个分割石墨部件中的与所述石墨坩埚的底部中央对应的位置的壁厚设为B（mm），

A＞B+110mm … （5）。

7.一种石英坩埚支承装置，其特征在于，具备：

将支承石英坩埚的石墨坩埚纵向分割而得到的多个分割石墨部件；及

支承所述多个分割石墨部件的权利要求1至6中任一项所述的坩埚支承底座。