[发明专利]放射性同位素的制造方法、放射性同位素制造装置在审
申请号: | 201880062862.3 | 申请日: | 2018-10-30 |
公开(公告)号: | CN111164709A | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
发明(设计)人: | 石冈典子;近藤浩夫;渡边茂树 | 申请(专利权)人: | 国立研究开发法人量子科学技术研究开发机构 |
主分类号: | G21G1/10 | 分类号: | G21G1/10;G21K5/08 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 郭放;崔春植 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 放射性同位素 制造 方法 装置 | ||
1.一种放射性同位素的制造方法,包括:
对标的物质照射放射线束的步骤;以及
将因上述放射线束的照射而生成并转移到气体中的上述放射性同位素从上述气体中提取的步骤。
2.根据权利要求1所述的放射性同位素的制造方法,包括:
在照射上述放射线束之前或者在照射上述放射线束过程中,加热上述标的物质的步骤。
3.根据权利要求1或2所述的放射性同位素的制造方法,其中,在上述放射线束的照射中,上述标的物质的至少一部分为液体。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的放射性同位素的制造方法,上述放射性同位素为17族或18族的元素。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的放射性同位素的制造方法,其中,
上述标的物质为在照射上述放射线束时的压力下气化时的温度比上述放射性同位素在上述压力下气化时的温度高的物质,
在从上述气体中提取上述放射性同位素时,提取从温度被调整为上述放射性同位素在上述压力下气化时的温度以上、且低于上述标的物质在上述压力下气化时的温度的温度范围内的、由上述标的物质生成并转移到气体中的上述放射性同位素。
6.一种用于制造放射性同位素的放射性同位素制造装置,包括:
容纳容器,用于容纳标的物质;
射线束导入部,其为用于将放射线束照射于上述标的物质的上述放射线束的通道;以及
提取部,其用于将因上述放射线束而生成并转移至气体中的放射线同位素从该气体中提取,
上述容纳容器与上述提取部以能够使包含上述放射性同位素的上述气体流过的方式气密地连接。
7.根据权利要求6所述的放射性同位素制造装置,包括用于加热上述容纳容器的加热部。
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