[发明专利]放射性同位素的制造方法、放射性同位素制造装置

说明书

本发明提供一种抑制制造时间的放射性同位素的制造方法。放射性同位素制造方法包括：对标的物质照射放射线束的步骤；以及将因照射上述放射线束而生成并转移到气体中的上述放射性同位素从该气体提取的步骤。

技术领域

本发明涉及放射性同位素的制造方法、放射性同位素制造装置。

背景技术

癌症的治疗方法有切除、导入抗癌剂、外部放射线照射等，但现状是，即使采用这些手段也不能治愈的癌症仍剥夺了许多生命。因此，新型治疗方法的开发是全世界面临的紧迫课题。

砹211(²¹¹At)是释放使细胞死亡的α射线的放射性同位素(RI)，因此作为用于导入体内的下一代癌症治疗药而备受期待。²¹¹At的药剂化研究在欧美首先开展，但是作为核心的²¹¹At的制造还不能满足使许多医院的治疗成为可能的放射能量(数十GBq)的供应要求。

【在先技术文献】

【非专利文献】

非专利文献1：渡边茂树、石冈典子等“关于TIARA的At-211新型大量制造方法的开发”第16次放射线过程研讨会、2016年11月、东京。

非专利文献2：K.Gagnon,et al.,“Design and evaluation of an externalhigh-current target for production of 211At”,Label.Compd.Radiopharm 2012,55436-440.

非专利文献3：Kotaro Nagatsu,et al.,“Production of 211At by a verticalbeam irradiation method”,Applied Radiation and Isotopes,2014,94,363-371.

发明内容

(发明所要解决的问题)

在现有技术中，对作为标的物的固体金属进行放射线照射而在该固体金属内生成放射性同位素，将放射线照射后的该固体金属取出并专门回收RI。在医疗用RI制造领域以固体金属为标的物的照射中，如果照射时标的物发生损坏(熔化)，则不仅会妨碍生成RI的效率，而且生成的RI有泄漏的危险，因此在照射时确保标的物的完整性是最重要的课题。再者，对于医疗现场，迫切需要开发照射后能迅速获得目标RI的手段，但是对于以金属为标的物的照射方面，至今没有成功的例子。

在²¹¹At制造中，上述问题是显著的。通过对铋(Bi)照射阿尔法(α)射线来生成²¹¹At，但是Bi作为标的物其熔点低，因此照射功率受限，在大批量制造方面存在问题。为此，一直在开发不会使Bi熔融的照射方式。另外，将照射过的固体Bi进行加热，利用²¹¹At和Bi的饱和蒸汽压差进行分离的以往的干式蒸馏分离步骤中，从固体Bi的取出至²¹¹At的分离与提纯需要时间，存在产生半衰期约7小时的²¹¹At的衰减损耗的问题。

如此，在以固体为标的物的RI制造中，必须进行照射、标的物取出、从标的物分离以及提纯目标RI的一系列步骤。

本发明的课题是，提供抑制制造时间的放射性同位素的制造方法。

(解决问题所采用的措施)

为解决上述课题，采用以下措施。

即，第一个方式是，

一种放射性同位素的制造方法，包括：

对标的物质照射放射线束的步骤；以及

将因上述放射线束的照射而生成且转移到气体中的上述放射性同位素从该气体提取。