[发明专利]检查装置的光学布置

说明书

一种检查装置，包括光学系统，其被配置为向待测表面提供辐射的束并且从该表面接收重定向的辐射；以及检测系统，其被配置为测量重定向的辐射，其中光学系统包括用于处理辐射的光学元件，该光学元件包括被配置为产生辐射的减小的色偏的Mac Neille型多层偏振涂层。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年9月28日提交的美国临时专利申请号62/565,021的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本说明书大体上涉及一种光学涂层和/或反射几何形状。

背景技术

制造设备(诸如半导体设备)通常包括：使用若干个制作过程来处理衬底(例如，半导体晶片)以形成各种特征，经常形成设备的多个层。通常，使用例如沉积、光刻、蚀刻、化学机械抛光和离子注入来制造和处理这样的层和/或特征。多个设备可以在衬底上的多个管芯上制作，然后分成各个设备。该设备制造过程可以被认为是图案化过程。图案化过程包括：在衬底上提供图案的图案传递步骤，诸如使用光刻装置的光学和/或纳米压印光刻；并且通常但可选地包括：一个或多个相关图案处理步骤，诸如通过显影装置进行抗蚀剂显影、使用烘烤工具烘烤衬底、通过蚀刻装置蚀刻图案等。进一步地，图案化过程中包括一个或多个计量过程。

光刻装置是将期望图案施加到衬底上(通常，施加到衬底的目标部分上)的机器。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在该实例中，图案化设备(其可替代地称为掩模或掩模版)可以用于生成要形成在IC的单个层上的图案。该图案可以传递到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或几个管芯的一部分)上。图案通常经由成像传递到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。一般而言，单个衬底包含连续图案化的相邻目标部分的网络。

进一步地，在图案化过程期间的各个步骤处使用计量过程以监测和/或控制该过程。例如，计量过程用于测量衬底的一个或多个特性，诸如在图案化过程期间形成在衬底上的特征的相对位置(例如，配准、重叠、对齐等)或尺寸(例如，线宽，临界尺寸(CD)、厚度等)，使得例如可以根据一个或多个特性确定图案化过程的执行。如果一个或多个特性不可接受(例如，超出一个或多个特性的预先确定的范围)，则可以例如基于一个或多个特性的测量来设计或更改图案化过程的一个或多个变量，使得通过图案化过程制造的衬底具有一个或多个可接受的特性。通常，这些计量过程中的很多计量过程包括：提供入射到各种表面上的辐射。

计量的一个示例是对齐。作为图案化过程的一部分，不同的处理步骤可能需要要在衬底上依次形成不同的层。因而，可能需要相对于在其上形成的先前图案高精度地定位衬底。通常，对齐标记放置在要对齐的衬底上，并且相对于第二物体定位。可以使用例如光刻装置的对齐系统来检测对齐标记的位置(例如，X和Y位置)，并且使用对齐标记来对齐衬底，以帮助确保从图案化设备准确曝光。对齐系统通常具有自己的照射系统和检测系统。

计量的另一示例是水平感测。作为图案化过程的一部分，处理步骤可能需要在光刻装置的焦点处或附近的衬底上形成层。因而，可能需要相对于焦点高精确度地定位衬底和/或在衬底的特定水平附近高精确度地调整焦点。因此，可以提供水平传感器来确定衬底相对于投影系统的高度和/或方位。在实施例中，这通过以相对于衬底倾斜的角度投影一个或多个辐射束并且捕获重定向辐射来进行。所检测的重定向辐射可以用于确定衬底的高度(例如，Z方向上)和/或方位(例如，围绕X或Y的旋转)。然后，那些结果可以用于控制衬底相对于焦点的位置和/或调整相对于衬底的焦点。通常，水平传感器具有自身照射系统和检测系统。

发明内容

各种装置(诸如用于确定例如对齐、高度、重叠等的检查装置的照射系统)可以提供用于处理(例如，用于测量)的辐射波长的范围。如下文所进一步描述的，在使用第一波长的辐射与使用第二不同波长的辐射之间会发生色偏。因而，提供了用于提供使用各种不同波长的辐射的装置中的减小的色偏的一种或多种技术。