[发明专利]具有基于温度差的操作的数据存储设备

权利要求书

1.一种存储器控制器，包括：

存储器接口；以及

与所述存储器接口耦合的逻辑电路组件，其中，所述逻辑电路组件用于进行以下操作：

在第一遍中，利用第一组数据、经由所述存储器接口来对多级NAND存储器的一个或多个NAND单元进行编程；

确定与所述第一遍相关联的所述多级NAND存储器阵列的第一温度；

确定所述多级NAND存储器阵列的第二温度；

确定所述第二温度与所述第一温度之间的温度差；以及

至少部分地基于对所述温度差的所述确定的结果来执行一个或多个操作。

2.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中，所述一个或多个操作包括以下操作中的一个或多个：

响应于所述温度差小于或等于预先定义的阈值，在第二遍中利用第二组数据来对所述一个或多个NAND单元进行编程；以及

响应于所述温度差大于所述预先定义的阈值，向主机控制器发送温度差超过标志，促进对所述一个或多个NAND单元的外部数据读取，促进与所述一个或多个NAND单元相关联的数据校正，或者促进对由所述一个或多个NAND单元编码的数据的恢复。

3.根据权利要求1-2中的任一项所述的存储器控制器，其中，所述逻辑电路组件用于将所述第一温度存储在与页地址相关联的标志字节中。

4.根据权利要求1-2中的任一项所述的存储器控制器，其中，所述逻辑电路组件用于响应于所述温度差小于或等于所述预先定义的阈值，在第二遍中利用第二组数据来对所述一个或多个NAND单元进行编程。

5.根据权利要求4所述的存储器控制器，其中：

所述一个或多个NAND单元是四级单元；

所述第一组数据包括第一页数据和第二页数据；

所述第二组数据包括第三页数据和第四页数据；

所述第一遍包括至少部分地基于所述第一组数据来将所述一个或多个NAND单元中的每个NAND单元编程到四个级中的一个中；并且

所述第二遍包括至少部分地基于所述第一组数据和所述第二组数据来将所述一个或多个NAND单元中的每个NAND单元编程到十六个级中的一个中。

6.根据权利要求4所述的存储器控制器，其中：

所述一个或多个NAND单元是四级单元；

所述第一组数据包括第一页数据、第二页数据、以及第三页数据；

所述第二组数据包括第四页数据；

所述第一遍包括至少部分地基于所述第一组数据来将所述一个或多个NAND单元中的每个NAND单元编程到八个级中的一个中；并且

所述第二遍包括至少部分地基于所述第一组数据和所述第二组数据来将所述一个或多个NAND单元编程到十六个级中的一个中。

7.根据权利要求4所述的存储器控制器，其中，所述预先定义的阈值是第一预先定义的阈值，所述温度差是第一温度差，所述第二温度与所述第二遍相关联，并且所述逻辑电路组件还用于进行以下操作：

确定所述多级NAND存储器阵列的第三温度；

确定所述第三温度与所述第二温度之间的第二温度差是否小于或等于第二预先定义的阈值；以及

响应于所述第二温度差小于或等于所述第二预先定义的阈值，在第三遍中利用第三组数据来对所述一个或多个NAND单元进行编程。