[发明专利]具有基于温度差的操作的数据存储设备

说明书

本发明的实施例可以涉及一种存储器控制器，该存储器控制器可以包括存储器接口以及与该存储器接口耦合的逻辑电路组件。在一些实施例中，逻辑电路用于在第一遍中利用第一组数据经由存储器接口来对多级NAND存储器阵列的一个或多个NAND单元进行编程，确定与所述第一遍相关联的多级NAND存储器阵列的第一温度，确定多级NAND存储器阵列的第二温度，确定该第二温度与第一温度之间的温度差，并且至少部分地基于对所述温度差的确定的结果来执行一个或多个操作。可以描述和/或要求保护其他实施例。

相关应用

该申请要求于2017年12月11日提交的标题为“DATA STORAGE DEVICE WITHOPERATION BASED ON TEMPERATURE(基于温度差操作的数据存储设备)”美国申请15/838,202的优先权。

技术领域

本发明的实施例概括地涉及计算的技术领域，并且更加特别地涉及NAND存储器编程。

背景技术

本文中所提供的背景描述是为了概括呈现该公开的上下文的。除非在本文中另外指出，本节中描述的材料不是针对该申请中的权利要求的现有技术，并且也不认为是本节中包括的现有技术。

半导体存储器可以被分类为非易失性存储器和易失性存储器。非易失性存储器，如NAND闪速存储器，即使在未连接电源的情况下也可以存储和保留信息。NAND闪速存储器，或简称NAND存储器，或NAND存储器系统，可以被包括在存储设备中以存储数据。位元可以被储存在NAND存储器的单元或存储器单元中，所述单元可以由浮栅晶体管构成。多级NAND存储器可以每个单元存储多个比特的数据，并且可以包括每个单元存储三比特的数据的三级单元(T1C)，每个单元存储四比特数据的四级单元(QLC)，和其他类型的单元，例如每个单元存储两比特的数据的多级单元(MLC)。T1C和QLC NAND通常利用多遍被编程。在NAND设备中，一些非理想性可能会导致原始比特误码率(RBER)的增加。这些非理想性之一是NAND单元的温度依赖性(例如，当以不同于对单元进行编程期间的温度的温度来读取单元时，单元的阈值电压可以低于或高于在以同一温度读取单元的情况下的阈值电压)。例如，在2-8-16技术的第三遍期间对8个阈值电压(VT)状态的内部预读取可以发生在与所述状态在第二遍期间被编程时不同的温度条件下。这可能会引起对16个VT状态的高误码率和潜在的错位，这可能导致无法由系统平台上的外部错误校正代码(ECC)引擎校正的致命错误。

附图说明

实施例将通过结合附图的以下详细描述而容易被理解。为了促进该描述，同样的附图标记表示同样的结构元素。实施例作为示例而非限制的方式在附图中被加以图示。

图1图示了根据各种实施例的示例电子系统，其包括存储器控制器，该存储器控制器用于使用温度检查来对NAND存储器系统的多级NAND存储器阵列进行编程。

图2是根据各种实施例的、对用于多遍(pass)编程技术和相关联的温度读取的四级单元的阈值电压分布的示意图。

图3出了根据各种实施例的用于对存储器单元进行编程的技术的流程图。

图4示出了根据各种实施例的用于对存储器单元进行编程的另一技术的流程图。

图5示出了根据各种实施例的流程图，该流程图图示了用于对2-8-16QLC编程技术的第三遍进行编程的不同选项。

图6是根据各种实施例的框图，其示意性地图示了计算设备。

图7图示了根据各种实施例的具有指令的示例存储介质，所述指令被配置为使得装置能够实践本公开的各种方面。

具体实施方式